華為尋求復(fù)興手機(jī)市場(chǎng),余承東:正在回歸!
業(yè)內(nèi)消息,華為常務(wù)董事余承東在華為年度開(kāi)發(fā)者大會(huì)的主題演講中表示,鴻蒙生態(tài)走過(guò)了艱難的四年,回首望去輕舟已過(guò)萬(wàn)重山,華為手機(jī)走在回歸道路上。上周在 HDC 2023 開(kāi)發(fā)者大會(huì)上,華為正式發(fā)布鴻蒙 HarmonyOS 4 系統(tǒng)似乎也預(yù)示著尋求復(fù)興手機(jī)市場(chǎng)。
剛過(guò)去的二季度,華為手機(jī)市場(chǎng)份額增幅 76.1%,高端市場(chǎng)份額排名第二。此外,鴻蒙生態(tài)設(shè)備超 7 億、API 日調(diào)用超 590 億次、開(kāi)發(fā)工具 DevEco 活躍用戶數(shù)超 40 萬(wàn)。鴻蒙 HarmonyOS 4 搭載了 AI 大模型,意味著華為計(jì)劃將 AI 大模型接入其移動(dòng)終端。
根據(jù)業(yè)內(nèi)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù),華為手機(jī)二季度占據(jù)中國(guó)整體市場(chǎng) 11.3% 的份額,落后于以 Vivo 和蘋(píng)果為首的五家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。分析人士認(rèn)為華為的增長(zhǎng)歸的原因是解決短缺后恢復(fù)正常的產(chǎn)品發(fā)布。
之前因?yàn)槊绹?guó)的制裁措施切斷了華為與 5G 芯片和軟件等半導(dǎo)體等關(guān)鍵技術(shù)的聯(lián)系只能生產(chǎn) 4G 手機(jī),進(jìn)一步使華為在國(guó)內(nèi)外手機(jī)市場(chǎng)份額大幅下滑。但有業(yè)內(nèi)研究者預(yù)計(jì),華為將在今年年底前通過(guò)在國(guó)內(nèi)采購(gòu)芯片的方式恢復(fù)生產(chǎn) 5G 智能手機(jī)。
美國(guó)連續(xù)的限制措施切斷了華為與 Android 移動(dòng)操作系統(tǒng)的聯(lián)系,進(jìn)一步?jīng)_擊了華為在海外市場(chǎng)的智能手機(jī)業(yè)務(wù)。2019 年,華為推出了自己的操作系統(tǒng)鴻蒙 HarmonyOS,試圖取代Android。
從那時(shí)起,華為一直在開(kāi)發(fā)該系統(tǒng)的新版本,逐步尋求未來(lái)能重新獲得智能手機(jī)市場(chǎng)份額,上周發(fā)布的鴻蒙 HarmonyOS 4 也凸顯了華為重振智能手機(jī)業(yè)務(wù)實(shí)力的雄心。華為今年二季度在中國(guó)的市場(chǎng)份額從去年的 7.3% 躍升至 13%,智能手機(jī)出貨量同比增長(zhǎng) 76%,說(shuō)明卓有成效。
此外,華為的戰(zhàn)略也逐漸變得更加精細(xì),比如在高端機(jī)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)布局。就像余承東演講中所說(shuō):華為智能手機(jī)在高端市場(chǎng)排名第二。所以我們要卷土重來(lái)!IDC 的數(shù)據(jù)顯示,中國(guó)市場(chǎng)售價(jià) 600 美元以上的手機(jī)領(lǐng)域,上季度華為的份額從去年的 6.7% 躍升至 18.4%。
華為關(guān)注高端是有道理的,因?yàn)橹袊?guó)消費(fèi)者平均愿意為智能手機(jī)支付更高的價(jià)格。該公司今年發(fā)布了可折疊手機(jī) Mate X3,該設(shè)備與旗艦產(chǎn)品 P60 一起幫助該公司提高了高端市場(chǎng)份額。
盡管被切斷了關(guān)鍵的國(guó)外的芯片供應(yīng),華為仍計(jì)劃在今年年底前重新進(jìn)入 5G 智能手機(jī)市場(chǎng)。業(yè)內(nèi)分析人士表示,華為應(yīng)該能夠在國(guó)內(nèi)采購(gòu) 5G 芯片,而且中國(guó)的高端市場(chǎng)更具彈性,再加上華為在中國(guó)的知名度,可能會(huì)產(chǎn)生更好的盈利能力。
根據(jù)日前日經(jīng)新聞報(bào)道,華為計(jì)劃今年在中芯國(guó)際采用 7nm 制程工藝生產(chǎn) 5G 芯片用于明年上市的手機(jī)中。去年,中芯國(guó)際曾使用 7nm 制程工藝為比特大陸科技制造了加密貨幣挖礦芯片。
華為可能使用中芯國(guó)際的 N+1 7nm 工藝,其鰭片間距(FP)、接觸式多晶硅間距(CPP)和金屬 2 間距(M2P)尺寸與臺(tái)積電的 N10 工藝更大或相同。而廣泛的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO)功能和高密度邏輯庫(kù)使邏輯晶體管密度達(dá)到每平方毫米 8900 萬(wàn)個(gè)晶體管(89MT/mm^2),與臺(tái)積電的N7和英特爾的 10nm 相當(dāng)。