在下述的內容中，小編將會對晶閘管分類的相關消息予以報道，如果晶閘管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、光控晶閘管

光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，它是一種以光信號代替電信號來進行觸發(fā)導通的特殊觸發(fā)型晶閘管，其伏安特性曲線與普通晶閘管完全一樣，只是觸發(fā)方式不同。而由于它采用光信號觸發(fā)，避免了主回路對控制回路的干擾，適用于要求信號源與主回路高度絕緣的大功率高壓裝置，如高壓直流輸電裝置、高壓核聚變裝置等。

光控晶閘管是利用一定波長的光照信號控制的開關器件，其結構也是由四層半導體(PNPN)構成。小功率光控晶閘管只有兩個電極(陽極A和陰極K)，而大功率光控晶閘管除陽極和陰極之外，還帶有光纜，光纜上裝有發(fā)光二極管或半導體激光器作為觸發(fā)光源。

光控晶閘管也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。通常晶閘管有3個電極，控制極G、陽極A和陰極K。由于光控晶閘管的控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以，只有兩個電極(陽極A和陰極K)。但其結構與普通晶閘管一樣，是由4層PNP型器件構成的。

從外形上看，光控晶閘管有受光窗口，還有兩條引腳和殼體，酷似光電二極管。

為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通，因此，必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣，光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在一般的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。

光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其他特性基本與普通晶閘管相同，因此，在使用時可按照普通晶閘管的使用原則，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求，即有選擇性。波長在0.8～0.9μm的紅外線及波長在1μm左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。

二、快速晶閘管

我們再來看看快速晶閘管，快速晶閘管是普通晶閘管的一種派生器件，主要用于感應加熱的中頻電源裝置。是用于較高頻率的整流、逆變和變頻電路的器具，并且可以在 400Hz以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大小，其開通時間為4～8微秒，關斷時間為10～60微秒。主要用于較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路。

快速晶閘管基本結構與普通晶閘管類似，只是為了適應中頻應用的特點，其門極圖形的設計更為復雜。由于采用了特殊的工藝降低了壽命，快速晶閘管開關特性得到很大改善，關斷時間大大縮短，但這不利于器件通態(tài)特性，浪涌電流等性能。這些矛盾要在器件設計時總體考慮，使用者也應根據(jù)實際應用情況選擇具體參教要求。

快速晶閘管的結構和工作原理與普通晶閘管相同，但在設計與制造中采取了特殊措施以減少開關耗散功率。通常采用增加門極-陰極周界長度、減薄基區(qū)厚度的辦法,增加初始導通面積，提高dI/dt耐量和提高擴展速度;采用陰極短路點、非對稱結構、摻金、鉑或用電子、快中子輻照技術等辦法降低少子壽命，提高dV/dt耐量,降低關斷時間。80年代，快速晶閘管已做到通態(tài)平均電流1000A，耐壓2500V，關斷時間30微秒。

一種對工作頻率有明確標定的快速晶閘管則稱為高頻晶閘管(中國型號為KG)。例如KG50(20kHz),表示該高頻管的標稱工作頻率為20kHz，通態(tài)平均電流為50A(20kHz下正弦半波平均電流值)。80年代中期,中國已能生產KG100(20kHz)和KG200(10kHz)，耐壓為1～1.2kV的高頻晶閘管。

快速晶閘管采取的特殊措施，在一定程度上降低了靜態(tài)特性(如升高了通態(tài)壓降)，故限制了它直接工作于更高頻率的大功率電子設備。為滿足更高頻率下工作對晶閘管提出的特殊要求，開發(fā)了門極輔助關斷晶閘管、可關斷晶閘管等。

三、雙向晶閘管

我們再來看看雙向晶閘管，雙向晶閘管是由N-P-N-P-N五層半導體材料制成的，對外也引出三個電極。雙向晶閘管相當于兩個單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個控制極。雙向晶閘管與單向晶閘管一樣，也具有觸發(fā)控制特性。不過，它的觸發(fā)控制特性與單向晶閘管有很大的不同，這就是無論在陽極和陰極間接入何種極性的電壓，只要在它的控制極上加上一個觸發(fā)脈沖，也不管這個脈沖是什么極性的，都可以使雙向晶閘管導通。盡管從形式上可將雙向晶閘管看成兩只普通晶閘管的組合，但實際上它是由7只晶體管和多只電阻構成的功率集成器件。

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