比利時(shí)微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布，雙方將在開發(fā)先進(jìn)高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗(yàn)線的下一階段加強(qiáng)合作。

按照ASML的說(shuō)法，2025年開始，客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩(wěn)步增加，ASML傳統(tǒng)型號(hào)EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號(hào)3600D增加到350W，現(xiàn)在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產(chǎn)量，并降低制程成本，需要更高數(shù)值孔徑的EUV曝光(NA=0.75)。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術(shù)形成圖案的每個(gè)晶體管成本都不斷變化，考量到新技術(shù)價(jià)格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價(jià)格將非常可觀，但仍取決于客戶要求和開發(fā)成本。

在這之前，光刻機(jī)大廠ASML高管對(duì)外表示，半導(dǎo)體業(yè)只有通力合作，建立完全自主的產(chǎn)業(yè)鏈，即使并非不可能也會(huì)極其困難。