21ic 近日獲悉，三星電子表示已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用 12nm 級工藝節(jié)點制造的雙倍數(shù)據(jù)速率 5(DDR5) DRAM，去年年底的時候該公司宣布開發(fā) 16Gb DDR5 DRAM，通過量產(chǎn)先進的 12nm DDR5 DRAM 印證了其在存儲芯片中的主導(dǎo)地位。

三星電子官方表示 16Gb DDR5 DRAM 的功耗降低將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心運營商能夠減少能源消耗和碳足跡，該芯片具有 7.2Gbps 的最高速度，可以在大約一秒內(nèi)處理 60GB 數(shù)據(jù)，主要針對數(shù)據(jù)中心、人工智能和新的計算應(yīng)用。

據(jù)悉，三星電子實現(xiàn)了 12nm 的工藝節(jié)點主要得益于采用了一種新的高k材料，可以讓芯片準確地區(qū)分數(shù)據(jù)信號的差異，而且采用 EUV 來實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最高的密度。去年年底 DRAM 已經(jīng)驗證了與 AMD 的兼容性，三星表示目前正在與全球其他更多的客戶合作。

三星的 12nm DRAM量產(chǎn)成為了在 存儲芯片低迷時期最先進的 DRAM，也從側(cè)面說明了三星在全球存儲半導(dǎo)體制造商中的領(lǐng)先地位。三星表示新芯片相比于上一代功耗降低了 23%，而晶圓產(chǎn)能提高了 20%，這說明晶圓的利用率上升使得單個晶圓多生產(chǎn) 20% 的芯片，而且新的芯片可能會在體積上更小。

因為業(yè)內(nèi)對于這樣的工藝命名體系并不統(tǒng)一，三星最新的 DRAM 在自家體系里是用第五代 10nm 級工藝節(jié)點制造的，但是不同公司制造的芯片之間的實際晶體管尺寸和密度，與其用于營銷的工藝節(jié)點名稱無關(guān)，如果不進行測試就很難知道，并且彼此之間可能會有很大差異。

據(jù)悉，因為半導(dǎo)體芯片部門虧損嚴重 三星的利潤跌至 14 年新低，但三星預(yù)計下半年芯片需求將逐步回升。三星今年第一季度收入為 63.75 萬億韓元，營業(yè)利潤為 0.64 萬億韓元，分別比去年同期下降 18% 和 96%。

不僅三星，其他存儲半導(dǎo)體公司比如 SK 海力士和美光科技也表示內(nèi)存芯片的需求低迷和供應(yīng)過剩使其最近一個財季出現(xiàn)了嚴重虧損，隨后這三家公司都宣布削減其計劃產(chǎn)量。多年來服務(wù)器客戶一直對 DRAM 需求旺盛，而 DRAM 的需求放緩一直是經(jīng)濟下滑的最重要原因之一。