4月25日消息，在先進(jìn)工藝上，臺積電最近幾年搖身一變成為全球的領(lǐng)導(dǎo)者，量產(chǎn)的3nm也是目前最先進(jìn)的，Intel的主力工藝還是Intel 7，也就是之前的10nm SF工藝演進(jìn)而來。

但在未來兩年，格局可能會發(fā)生變化，因為Intel的目標(biāo)是4年內(nèi)掌握5代CPU工藝，特別是2024年Intel會在上半年、下半年分別量產(chǎn)20A、18A工藝，等效友商的2nm及1.8nm工藝。

18A是Intel四年掌握五代CPU工藝中的最后一環(huán)，是20A工藝的改進(jìn)版，每瓦性能比提升10%，同時它也是對外代工的主力，前不久還跟ARM達(dá)成了合作協(xié)議，基于18A工藝量產(chǎn)先進(jìn)的ARM芯片。

同時18A工藝是Intel跟臺積電競爭的關(guān)鍵，后者的2nm工藝預(yù)計在2025年才能量產(chǎn)，一旦Intel如期搞定18A，那么會在技術(shù)及量產(chǎn)進(jìn)度上超越臺積電，重新成為半導(dǎo)體工藝領(lǐng)導(dǎo)者。

面對Intel的追趕甚至反超，臺積電聯(lián)席CEO魏哲家上周也回應(yīng)了此事，他表示不會評價競爭對手的發(fā)展，但臺積電的N3工藝率先實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，是當(dāng)前最先進(jìn)的，N2工藝還會再次這么做，甚至?xí)U大領(lǐng)導(dǎo)地位。

臺積電的2nm工藝將放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，首次使用GAA晶體管，相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%。

不過2nm工藝的晶體管密度僅提升了10%，相比之前的工藝提升60-70%大為縮水，更沒有達(dá)到摩爾定律所需的100%密度提升。