RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用

時間：2023-02-24 13:51:57

關(guān)鍵字： MOS 超結(jié)MOS 適配器

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[導(dǎo)讀]瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS采用多層外延工藝，可對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品，滿足不同功率的適配器應(yīng)用

一、超結(jié)MOS在電源適配器的作用

電源適配器（Power adapter）被廣泛應(yīng)用于日常生活中常見的電器電源中，如筆記本充電器、電動車充電器等。但由于高壓的存在，作為核心部分的AC-DC控制器對器件的可靠性與能效比有著較高的要求，所以合理的選擇器件能有效降低損耗，提高可靠性，降低EMC。

針對現(xiàn)代適配器的需要，超結(jié)MOS采用多層外延工藝技術(shù)同時實(shí)現(xiàn)了更大電流和高壓能力，使開關(guān)響應(yīng)更迅速，能效更高，發(fā)熱更低，可用于高達(dá)150KHZ的以上的開關(guān)應(yīng)用。

RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用

二、產(chǎn)品應(yīng)用及特點(diǎn)

超結(jié)MOS器件的適配器主要廣泛應(yīng)用于筆記本、機(jī)頂盒、安防攝像頭、路由器、空氣凈化器、廣告屏、電動單車等設(shè)備中。

RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用

產(chǎn)品特點(diǎn)：
由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝；
更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗，優(yōu)異的EMI性能；
極低的柵極電荷（Qg）有助于提高系統(tǒng)效率；
可對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品；
器件參數(shù)一致性較好。

三、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D

RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用

四、典型應(yīng)用及產(chǎn)品選型

1、高效率的45W會選用超結(jié)MOS：RS65R600F /RSU7N65F;

2、60W會選用超結(jié)MOS：RS65R380F/RSU12N65F;

3、72W會選用超結(jié)MOS：RS65R280F;

4、90W在PFC位置用RS18N50F，PWM用超結(jié)MOS：RS65R190F/RSF65R190F;

5、120W在PFC位置用超結(jié)MOS：RS65R190F/RSF65R190F，PWM用超結(jié)MOS：RS65R280F*2;

6、200W在PFC位置用超結(jié)MOS：RSF60R090F，PWM用超結(jié)MOS：RS65R190F/RSF65R190F*2，碳化硅肖特基二極管：RSS04065A/RSS04065B;