臺積電400億美元建設(shè)美國3nm芯片廠:成本高出5倍
原本只計(jì)劃在美國建設(shè)5nm芯片廠的臺積電在去年底態(tài)度大變,對美國的投資大增,而且先進(jìn)工藝也要轉(zhuǎn)移出去,計(jì)劃投資400億美元建設(shè)3nm芯片廠。
據(jù)臺積電所說,其亞利桑那州工廠將開始興建第二期工程,預(yù)計(jì)于2026年開始生產(chǎn)3nm制程技術(shù),該廠目前興建中的第一期工程預(yù)計(jì)于2024年開始生產(chǎn)4nm制程技術(shù)(原計(jì)劃是5nm),兩期工程總投資金額約為400億美元。
臺積電表示,除了幫助建設(shè)廠房地的1萬多名建筑工人外,臺積電亞利桑那州的兩座晶圓廠預(yù)計(jì)將額外創(chuàng)造1萬個高薪高科技工作崗位,其中包括4500個直接受雇于臺積電的工作崗位。
然而臺積電選擇美國建廠不是沒有代價的,在日前的說法會上,臺積電CEO魏哲家承認(rèn),美國直接建廠的廠房成本發(fā)是臺積電的四五倍,這不僅要?dú)w咎于美國的通脹及各種人工成本,還有各種許可證的額外成本,包括環(huán)境影響評估等等。
在美國建廠的成本原告于本土,但臺積電表示將尋求各種方式來降低成本。