英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來最大的單節(jié)點內性能提升。

在2020英特爾架構日上，該公司首席架構師拉加·庫德里（Raja Koduri）領銜講解了英特爾過去兩年的技術進展及未來產品規(guī)劃。英特爾在工藝、封裝和架構等方面推出多項重要更新，推出10納米SuperFin技術，英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來最大的單節(jié)點內性能提升。

此外，英特爾還公布了立體封裝新進展，架構方面公布Willow Cove微架構和用于移動客戶端的Tiger Lake SoC技術細節(jié)，并首次公布可實現(xiàn)全擴展的Xe圖形架構。

英特爾近來頗多麻煩，7納米工藝受阻和蘋果宣布將采用自研PC處理器等消息打擊了英特爾股價，以至于英特爾行不行的問題再度成為熱點。從英特爾技術日上公布的技術進展來看，通過對晶體管工藝、封裝及設計的共同優(yōu)化，英特爾沿摩爾定律推高集成度的進度還在掌控中，只要英特爾對數(shù)據(jù)時代的需求判斷正確，英特爾仍然將是半導體領域的技術引領者。

以10納米SuperFin技術為例，通過英特爾增強型FinFET晶體管與Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容的結合，該技術能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝和額外的柵極間距，并通過以下方式實現(xiàn)更高的性能：

• 通過增強源極和漏極上晶體結構的外延長度，從而增加應變并減小電阻，以允許更多電流通過通道

• 改進了柵極工藝以實現(xiàn)更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動

• 附加的柵極間距選項，從而可提供更高的驅動電流

• 使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30％，從而提升了互連性能

• 與之前的技術相比，在同樣面積內，電容是之前的5倍，從而減少了電壓下降，可顯著提高產品性

包含10納米SuperFin在內，英特爾架構日上公布的技術點十分密集，又比較前沿，翻譯過來難免會有失真。因此編輯部將工藝、封裝及處理器架構部分的演講資料截圖出來，供大家參考，后續(xù)有機會，將全面解讀英特爾架構日釋放出來的技術資料。