因?yàn)橛?jì)算機(jī)內(nèi)存芯片需求下降的狀況下產(chǎn)生眾多供應(yīng)和開支方面的問題，美光明年將裁員10%，并采取其他削減成本的措施，比如將1γnm DRAM推遲到2025年。

美光1γnm制程工藝的DRAM采用將EUV光刻技術(shù)，因?yàn)橐獪p少資本開支，因此該技術(shù)將推遲到2025年，同時(shí)232層的NAND節(jié)點(diǎn)也被推遲。

今年Q3季度，美光宣布將在2030年前投資150億美元在博伊西新建一家半導(dǎo)體工廠，預(yù)計(jì)將為美國創(chuàng)造1.7W個(gè)就業(yè)崗位。

次月美光就再次宣布將在紐約州北部建造另一家半導(dǎo)體工廠，承諾提供高達(dá)1000億美元的長期投資，并為該州帶來5W個(gè)工作崗位。

但是最近幾個(gè)月該公司的需求急劇下降，個(gè)人電腦和智能手機(jī)的出貨量均下降，因此影響了該公司的兩種主要存儲芯片NAND以及DRAM，前者可以在便攜式閃存驅(qū)動(dòng)器中提供斷電保護(hù)，后者必須通電才能保存數(shù)據(jù)。

按照之前的計(jì)劃，美光1γ將在2024年的某個(gè)時(shí)候推出，但是該公司需要在2023~2024財(cái)年減少新設(shè)備的支出并減少DRAM bit出貨量，因此將不得不放慢DRAM在其1β和1γ制造技術(shù)上的增長速度。

據(jù)悉，美光最新的 1β制造節(jié)點(diǎn) bit密度提高了35%，電源效率提高了15%，不過這一技術(shù)依然是基于DUV光刻技術(shù)的，而1γnm DRAM將基于EUV。

存儲巨頭三星以及SK海力士已經(jīng)在其第4代10nm級存儲技術(shù)(1α、1-alpha)中的多個(gè)層級采用了EUV光刻技術(shù)，并計(jì)劃進(jìn)一步強(qiáng)化其在第5代10nm級DRAM節(jié)點(diǎn)中的使用。

美光表示，因?yàn)闆Q定放慢1β(1-Beta)DRAM的生產(chǎn)速度，預(yù)計(jì)的1γ(1-gamma)技術(shù)將在2025年推出，同時(shí)也將推遲 232層3DNAND存儲器以外的下一個(gè)NAND節(jié)點(diǎn)， 以適應(yīng)新的需求前景和所需的供應(yīng)增長。