在信息化的時代，數據中心是像水廠、電廠一樣的重要基礎設施，是數字經濟的動力引擎。而數據中心的發(fā)展帶動以服務器、存儲為代表的IT算力設備的快速增長。伴隨著人工智能、自動駕駛、智能制造等行業(yè)的快速興起，數據中心這個“大蛋糕”成了香餑餑。業(yè)內普遍認為，數據中心是未來十年最值得關注的賽道之一。

四大因素驅動，數據中心成科技巨頭兵家必爭之地

云計算、AI對算力需求的快速增長是驅動數據中心增長的第一要素。

云計算的快速發(fā)展將成為未來算力的主要供給。全球云數據中心資本開支目前在以年復合20%以上速度增長，全球Top5的云廠商每年資本開支的絕大部分都投入在數據中心，并期望以自研服務器、創(chuàng)新網絡結構、代建數據中心等降低投資和運營成本。另外，AI算法對算力需求的增長遠超摩爾定律演進速度。OpenAI的模型顯示，2010年以來業(yè)內最復雜的AI模型算力需求漲了100億倍，人工智能訓練模型算力需求水漲船高。

此外，大型云數據中心對提高效能提出了更高的要求。

業(yè)內分析指出，全球能源產量和碳中和預期將對算力消耗的增長造成制約，全球碳達峰將對算力能效比提出更高要求。提高計算效能的多種手段包括半導體制造工藝的進步;3D封裝、晶圓級封裝“化整為零”;存儲介質的革命——存內運算;算力池概念的進化需要更高的芯片級互聯(lián)帶寬。

據TheElec報道，ASML近日在“2022半導體EUV生態(tài)系統(tǒng)全球大會”上指出，預計今年EUV生產臺數將超過50臺。

2019年ASML的EUV設備生產臺數為22臺，如今已增加到2021年的42臺。ASML表示有信心今年將超過50臺，明年生產臺數將進一步增加。

目前半導體行業(yè)最關心的問題之一是引進High-NAEUV設備的時間點。ASML透露，High-NA EUV設備將于明年年底推出初始版本，量產型號將于2024年底或2025年初推出。

據etnews報道，ASML財報稱，在High-NA EUV業(yè)務中，公司收到了TWINSCAN EXE:5200的額外訂單，所有當前的EUV客戶都已經下單了下一代半導體設備“High-NA”，這其中包括三星和SK海力士。

最先進工藝的競爭預計將加劇。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導體制造商也在準備引進能夠實現2nm工藝的設備。如果單看技術，三星只落后于臺積電半年時間。但從市場統(tǒng)計來看，三星在全球芯片代工市場份額占比僅為臺積電三分之一。

High-NA EUV設備是將集光能力的鏡頭數值孔徑(NA)從0.33提高到0.55的設備。比現有的EUV設備處理更精細的半導體電路。業(yè)界大多數人認為，High-NA設備對2nm工藝至關重要。

據推測，High-NA EUV光刻機的單價為5000億韓元，是現有EUV光刻機的2倍。業(yè)內人士指出，如果三星電子購買10臺High-NA EUV光刻機，將需要5萬億韓元以上的費用。為了提高韓國的國家產業(yè)競爭力，有必要擴大政府的支援。

據TheElec報道，ASML近日在“2022半導體EUV生態(tài)系統(tǒng)全球大會”上指出，預計今年EUV生產臺數將超過50臺。

2019年ASML的EUV設備生產臺數為22臺，如今已增加到2021年的42臺。ASML表示有信心今年將超過50臺，明年生產臺數將進一步增加。

目前半導體行業(yè)最關心的問題之一是引進High-NAEUV設備的時間點。ASML透露，High-NA EUV設備將于明年年底推出初始版本，量產型號將于2024年底或2025年初推出。

據etnews報道，ASML財報稱，在High-NA EUV業(yè)務中，公司收到了TWINSCAN EXE:5200的額外訂單，所有當前的EUV客戶都已經下單了下一代半導體設備“High-NA”，這其中包括三星和SK海力士。

最先進工藝的競爭預計將加劇。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導體制造商也在準備引進能夠實現2nm工藝的設備。如果單看技術，三星只落后于臺積電半年時間。但從市場統(tǒng)計來看，三星在全球芯片代工市場份額占比僅為臺積電三分之一。

High-NA EUV設備是將集光能力的鏡頭數值孔徑(NA)從0.33提高到0.55的設備。比現有的EUV設備處理更精細的半導體電路。業(yè)界大多數人認為，High-NA設備對2nm工藝至關重要。

據推測，High-NA EUV光刻機的單價為5000億韓元，是現有EUV光刻機的2倍。業(yè)內人士指出，如果三星電子購買10臺High-NA EUV光刻機，將需要5萬億韓元以上的費用。為了提高韓國的國家產業(yè)競爭力，有必要擴大政府的支援。

在向中國出口DUV光刻機的問題上，荷蘭ASML曾經左右搖擺，但如今風向轉的太快，荷蘭最終也沒有頂住美國的壓力，荷蘭最終還是選擇了斷供DUV光刻機。

12月8日，鳳凰財經就有消息稱，受到美國壓力，荷蘭最大芯片商限制對華出口。

而后據外媒體援引與會人士的消息，2022年12月9日，美國與荷蘭擬議中的對華半導體出口管制談判結果初定。荷蘭已同意與美國加強合作，共同限制中國企業(yè)取得先進芯片技術的管道，把對中國半導體的出口管制法規(guī)化，從而與美國10月7日出臺的一系列半導體出口措施保持一致。

外媒消息稱，在具體的執(zhí)行層面，即是禁止ASML向中國出售DUV浸潤式光刻機，其先進程度比EUV光刻機落后一代，是制造7nm以上制程芯片的必備硬件。

據了解，在半導體芯片的制造工藝中，光刻機負責 " 曝光 " 電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導體芯片的工藝稱為前道工藝。保護精密的半導體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時實現與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。

事實上，早在11月下旬，荷蘭外貿與發(fā)展合作大臣施賴納馬赫爾曾經警告稱，美國不應指望荷蘭毫無疑問地采取其對中國出口限制的做法，“荷蘭不會一比一照搬美國(對華出口)的措施”。從此前荷蘭官員的態(tài)度來看，荷蘭不會跟隨美國的腳步，在對中國光刻機的出口方面，荷蘭有自己的評估。

國內此前多數業(yè)內人士認為，阿斯麥基于自身的利益訴求，也不可能屈從于美國的壓力而放棄中國市場的巨額利潤?，F在看來，美國的態(tài)度占了上風，荷蘭妥協(xié)了，暫時不清楚美國哪種說辭以及協(xié)議最終說服了荷蘭，從DUV光刻機到EUV光刻機，荷蘭都不再向中國出口。

這意味著，美國的管制范圍擴大了，中國的光刻機自主研發(fā)或成唯一出路。而對于荷蘭來說，可能更加嚴重的打擊還在后頭。

近日，日本佳能宣布將于 2023 年 1 月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導體光刻機新產品—— i 線步進式光刻機 "FPA-5520iV LF2 Option"。