這個問題呢在面試時候被問過一次，所以有了今天的選題，希望大家以后如果被提問，都能從容面對。還記得去年視頻面試上海的一家外資公司，覺得外企穩(wěn)定，福利待遇方面都還行，于是就有了接下來的面試經(jīng)歷。面試總共分2輪（也可能會3輪），第一輪HR面，都是一些基礎(chǔ)問題，為什么考慮新的機會（每家必問），現(xiàn)有薪資以及跳槽漲幅，為什么換城市等等；第二輪技術(shù)面，兩個面試官看上去50歲左右，給人的感覺經(jīng)驗非常豐富，在公司內(nèi)應(yīng)該屬于專家級別了。面試開始首先自我介紹了一下以前的項目經(jīng)驗，順便也吹噓了一下擅長什么；接下來就是提問環(huán)節(jié)（可以自由發(fā)揮了），可能這家公司的產(chǎn)品DCDC用的比較多，正好我簡歷里也介紹了這部分項目經(jīng)歷，所以問題圍繞DCDC展開，先問了一下Buck電路的原理，這個我早有準備，沒有懸念輕松拿下，然后又問我Buck電路的損耗，其實這個問題我是沒有考慮過的，想了想Buck的效率通常在85%以上，我只知道導(dǎo)通時MOS管有個Rdson，阻值幾十毫歐，于是就說了這個，我自己都感覺太小，這才多大的損耗??！當時就感覺要掛！可惜了我前面1個小時的努力，哈哈。果不其然，等了幾天沒有下文，可能也與我一直從事射頻工作有直接聯(lián)系，不過我也不可能去追問HR，找工作本來就是雙向協(xié)商的，你給我offer，我還不一定去呢。

其實對于這個問題，正常情況下80%的人不會去想DCDC的損耗在哪里，工程上項目時間緊，如果FAE推薦的電路不出問題，基本就會PASS這部分，去查看其他風(fēng)險點，所以一些細節(jié)是考慮不到的。面試過后我也問了我前同事，他做過一段時間的電源，和我想的一樣，平時主要關(guān)心電源的EMI指標和效率問題，損耗第一個是在MOS管選型時候用到，就是Rdson，第二個是電感電容選型的ESR損耗。

其實仔細思考下還是很容易得出正確答案的，之前為什么沒答出來，我也總結(jié)了一下：面試的時候需要快速給出正確答案，這對候選人的考驗相當大，需要平時大量的案例積累，如果沒有這方面的知識儲備，面試過程節(jié)奏快、時間緊，相對企業(yè)而言候選人也比較弱勢，心理壓力大無法正常思考的，所以答錯很正常！

言歸正傳，Buck電路的損耗有哪些？

如下圖所示，非同步Buck電路由MOS管、電感、續(xù)流二極管以及芯片內(nèi)部邏輯電路組成。

理想情況下，我們在聊電路原理以及EMI等問題的時候，不會去考慮MOS管死區(qū)時間、開關(guān)速度，電感交直流阻抗，電容ESR/ESL，二極管的開關(guān)導(dǎo)通損耗以及Buck芯片的耗電，但這就是損耗的主要來源，此處由于開源電源的低頻特性忽略PCB板的寄生參數(shù)。

查閱資料發(fā)現(xiàn)已經(jīng)有很多博主定量估算過DCDC所有的損耗，是一種工程近似的方法。不過像這種面試的場景，時間寶貴，只需要定性分析，共3種情況：

1.導(dǎo)通時，損耗主要由MOS管Q、L和C產(chǎn)生，MOS管導(dǎo)通電阻Rdson與L、C的交直流阻抗(jwL+1/jwc+DCR)損耗之和。

2.截止時，損耗主要由二極管D、L和C產(chǎn)生,二極管的壓降（ΔU*I）與L、C的交直流阻抗損耗之和。

3.開關(guān)瞬間，如下圖所示，Ton時主要由MOS管開通損耗與二極管的關(guān)斷損耗之和；Toff時，主要是MOS管關(guān)斷損耗(波形與MOS管打開時相反)。