Dialog Semiconductor 宣布推出 AT25EU 系列 SPI NOR 閃存設備，以支持具有嚴格電源要求的小型設備的開發(fā)。Dialog Semiconductor 內存產(chǎn)品工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)部產(chǎn)品營銷高級總監(jiān) Graham Loveridge 在接受EE Times Europe采訪時表示，AT25EU 旨在結合速度和功率以實現(xiàn)最佳響應。

“在 Dialog，我們繼續(xù)專注于使 NOR Flash 在物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)記錄設備中更好地工作。AT25EU 專注于降低能耗以延長電池壽命，同時提供高速讀取和快速擦除時間以提高性能，”Loveridge 說?！拔覀兊钠渌O備還提供功能來幫助物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)更高效地運行、使用更少的電力并提高系統(tǒng)性能。”

能源消耗

通常在電池供電系統(tǒng)中，設計人員專注于低功耗組件。雖然這在某些情況下可能是有利的，但對于閃存設備來說，更重要的是關注總能耗。Flash 設備需要時間來完成擦除和編程等操作。傳統(tǒng)上，較低功耗的閃存需要更長的時間才能完成這些操作，從而增加了總能耗并降低了系統(tǒng)性能。在不犧牲性能的情況下降低總能量是市場的關鍵差異化。對話聲稱與現(xiàn)有的 SPI NOR 閃存解決方案相比，2Mbit AT25EU0021A 可以在幾毫秒內執(zhí)行整個芯片擦除，而不是數(shù)百毫秒甚至幾秒，同時還消耗更少的功率和顯著降低的總能量。實現(xiàn)快速、低功耗擦除操作的能力提高了空中 (OTA) 更新、事件監(jiān)控和數(shù)據(jù)記錄任務等功能的效率。

“當設備執(zhí)行擦除時，不能執(zhí)行其他操作，”Loveridge 說?！斑@意味著在此期間無法從閃存中讀取數(shù)據(jù)。在生產(chǎn)線上，通常在生產(chǎn)線末端加載最終客戶代碼之前加載測試代碼以測試設備。具有較長的全芯片擦除時間(例如，在某些情況下對于 2Mbit 設備為 3 秒)會減慢生產(chǎn)線的速度。AT25EU 可以在不到 10ms 的時間內執(zhí)行一次全芯片擦除。生產(chǎn)線上更快的吞吐量意味著更低的成本。執(zhí)行 OTA 更新時，較長的擦除時間也會讓用戶感到沮喪。更快的擦除時間改善了整體用戶體驗。”

NOR閃存

Loveridge 表示，SPI NOR 閃存的低功耗、高性能突破建立在 Dialog 對增強其 BLE、Wi-Fi 和 GreenPAK 產(chǎn)品組合的承諾之上。Flash 系列還提供各種省電功能以延長電池壽命，例如寬 Vcc 操作(1.65V 至 3.6V)和 100 至 300nA 深度斷電模式以在產(chǎn)品不使用時節(jié)省電力。除了能效和訪問速度之外，據(jù)稱它還能延長小型電池供電物聯(lián)網(wǎng)設備的運行時間。

“許多物聯(lián)網(wǎng)設備不需要大內存密度，因此 NOR 更具成本效益。對于更大的密度，即 512Mbits 以上，NAND 通常更具成本效益。與 NAND 相比，NOR Flash 具有更快的訪問時間和更好的隨機訪問，使其更適合引導代碼或直接在閃存設備外執(zhí)行代碼的就地執(zhí)行應用程序。這就是為什么大多數(shù)設備使用嵌入式或外部 NOR 閃存作為 BIOS 或引導代碼，”Loveridge 說。

隨著降低功耗、小型化和更小電池的趨勢繼續(xù)發(fā)展，Dialog 表示，它專注于提供更低功耗的設備，這些設備可以更快地執(zhí)行擦除、編程和修改操作，并且能耗更低，以提高系統(tǒng)性能并延長電池壽命。

“我們繼續(xù)突破閃存的界限，”Loveridge 說?！袄纾瑢τ诘陀?40nm 的幾何尺寸，F(xiàn)lash 很難成本有效地嵌入到 SoC 中。為了解決這個問題，Dialog 開發(fā)了一種稱為 CBRAM 的電阻式 RAM 技術，該技術可以輕松且經(jīng)濟高效地用于較低幾何尺寸的硅工藝。CBRAM 還具有不需要預擦除的優(yōu)點。與傳統(tǒng)的 NOR 和 NAND Flash 不同，CBRAM 只需要寫入數(shù)據(jù)。它還使用一小部分功率，并且可以執(zhí)行非?？焖俚淖x寫操作?！?

第一款 AT25EU 產(chǎn)品系列器件將提供 1Mbit 和 2Mbit 配置，并于 2021 年第二季度全面提供樣品。