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[導(dǎo)讀]2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子

貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo®收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電和IT/服務(wù)器電源等應(yīng)用。

貿(mào)澤電子供應(yīng)的UJ4C/SC器件采用獨(dú)特的共源共柵SiC FET技術(shù),其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感,與包含的開爾文源極連接一起,可降低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。

UJ4C/SC系列的D2PAK-7L版本提供從9 mΩ到60 mΩ的導(dǎo)通電阻選項,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性,同時保持充足的設(shè)計冗余和電路穩(wěn)健性。這些FET具有750 V額定電壓、出眾的導(dǎo)通電阻×面積 (RDS(on) × A) 品質(zhì)因數(shù)、較低的體二極管、超低柵極電荷,以及支持0 V至15 V柵極驅(qū)動的4.8 V閾值電壓,可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗。

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