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[導讀]9月20日消息,據韓國媒體BusinessKorea報道稱,SK海力士子公司Solidigm計劃在美國加利福尼亞州投資超過1億美元(約合人民幣7.01億元)建立半導體研發(fā)中心。

9月20日消息,據韓國媒體BusinessKorea報道稱,SK海力士子公司Solidigm計劃在美國加利福尼亞州投資超過1億美元(約合人民幣7.01億元)建立半導體研發(fā)中心。

SK海力士宣布,公司為了奠定未來成長基礎,將在韓國忠北清州市建設新半導體生產工廠M15X(eXtension)。據介紹,SK海力士綜合考慮市場情況等,決定在已確保的用地上提早開工M15的擴建工廠M15X。

根據計劃,SK海力士將于今年10月在韓國清州科技城產業(yè)園區(qū)內約6萬平方米的用地開建M15X,并目標于2025年初竣工。在此期間,SK海力士計劃共投資15萬億韓元(約合人民幣758.3億元)建設M15X工廠并引進生產設備。據了解,M15X是復式結構,其規(guī)模與現有的清州M11和M12兩座工廠的總和相近。另外,SK海力士對于附近的M17新工廠計劃,將考慮半導體市況等經營環(huán)境決定開工時間。

排名第二的是SK海力士,得益于對英特爾NAND閃存業(yè)務收購的完成(成立了Solidigm公司運營),使得SK海力士在二季度的銷售額環(huán)比增長12.1%,達到了36.15億美元,市場份額也由18%增至19.9%,超越鎧俠,成為了全球第二大NAND閃存廠商。

鎧俠NAND閃存在二季度的銷售額為28.32億美元,環(huán)比下滑16.3%,所占的份額由18.9%降至15.6%。

排名第四的是西部數據,二季度銷售額為24億美元,環(huán)比增長7%,市場份額提升0.7個百分點,增至13.2%。

據路透社報導,知情人士透漏,就在美國“芯片法案”正式完成立法的之后,韓國存儲芯片廠商SK海力士將在美國建設一座先進的芯片封裝工廠,并將于2023 年第一季左右破土動工。

報導引用一位不愿透露姓名的消息人士說法表示,SK海力士赴美新建工廠的計劃預計將耗資“數十億美元”,未來將在當地創(chuàng)造1000個工作機會,并將于2025~2026 年進入量產階段。該消息人士還指出,目前預計的工廠位置,可能在擁有工程相關人才的大學附近。

受美國芯片法案限制條款及美國持續(xù)限制大陸半導體產業(yè)發(fā)展的背景之下,韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。目前三星在中國西安擁有投資額超百億元的存儲芯片工廠,SK海力士則在收購英特爾閃存業(yè)務之后,接手了其在大連的閃存工廠。

報道稱,一位資深韓國官員表示,隨著時間過去,韓國在中國的數項芯片投資案可能會遭“放棄”,“要是中方不開心,得去跟美國談”,這顯示美國力促芯片大廠脫中轉美的努力,初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說,芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款,促使韓國芯片廠未來布局從中國轉向美國。美中科技戰(zhàn)讓韓國廠商反思,如今的地緣政治風險,讓他們更偏向美國。

SK海力士計劃先為客戶端固態(tài)硬盤(SSD)供應238層NAND,之后逐步將產品使用范圍擴大至智能手機和大容量服務器固態(tài)硬盤,并于明年推出該產品的1Tb擴容版。

值得注意的是,在今年7月底,美光已經宣布量產了業(yè)界首款232層NAND芯片。雖然SK海力士宣布的238層NAND芯片堆疊層數要更高一些,但目前仍然還是紙面上的宣布,量產時間還要等到明年上半年。

,韓國總統(tǒng)尹錫悅(Yoon Suk-yeol)也在積極推動韓國龍仁市的芯片供應聚落,SK海力士打算斥資120兆韓元(約924億美元)興建四座晶片廠。漢陽大學(Hanyang University)電子工程學教授Park Jae-gun說,若龍仁聚落完工、如期2027年4月運作,那么SK海力士在清州建立新廠的計劃就沒那么急迫。

TrendForce 最新發(fā)布的6月研究報告指出,俄烏沖突、通貨膨脹高漲對消費者電子產品需求造成負面沖擊,也導致整體DRAM庫存增加;這是第三季DRAM價格下滑3%~8%的主因,針對PC、智能手機設計的DRAM產品有跌價超過8%的可能。

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