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[導讀]【2022年8月1日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,使得臺達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發(fā)出了雙向逆變器,即一個由太陽能發(fā)電、儲能和電動汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠將電動汽車作為家庭應急備用電源。


【2022年8月1日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC?產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,使得臺達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發(fā)出了雙向逆變器,即一個由太陽能發(fā)電、儲能和電動汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠將電動汽車作為家庭應急備用電源。

這款雙向逆變器可用于為電動汽車(EV)和家用電池充電,還能作為意外停電時的備用電源,以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊和采用 D2PAK -7L,7引腳封裝的1200 V CoolSiC? MOSFET(一種表面貼裝器件)。它將三個應用整合在一起,在一個尺寸僅為425 x 865 x 160mm的緊湊封裝中實現了三合一系統(tǒng)的設計,具有重要的里程碑意義。該系統(tǒng)的輸出功率約為10 kW,允許通過的最大連續(xù)電流為34 A,峰值效率可以超過97.5%。


CoolSiC? MOSFET Easy 1B

臺達光伏逆變器事業(yè)部主管李雷鳴表示:“英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發(fā)展,致力于進一步提高電源管理效率,是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件,我們能夠將三種應用整合到一個系統(tǒng)中,向著綠色能源的發(fā)展目標邁出了一大步。”

英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示:“該項目是邁向碳中和道路上的一座重要里程碑,我們十分榮幸能夠成為該項目的重要參與者。我們期待著臺達能夠與英飛凌長期合作。英飛凌的功率半導體器件在這套智慧能源解決方案中發(fā)揮了重要作用,對此我們深感自豪?!?

創(chuàng)建這套三合一系統(tǒng)用到的重要組件包括:帶有NTC溫度傳感器、采用了壓接工藝的1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊(F4-23MR12W1M1_B11)。該模塊可提供超高的設計靈活性和高電流密度。同時,該模塊采用了領先的封裝技術,與CoolSiC? MOSFET配合使用,實現了低電感設計以及極小的開關和導通損耗。它支持客戶實現高開關頻率設計,可以讓系統(tǒng)設計得更加小巧。EasyPACK?模塊能夠幫助客戶縮短新產品開發(fā)時間,降低總體成本。

該系統(tǒng)還采用了英飛凌的其他幾款半導體器件,其中包括采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件,以及采用D2PAK -7L,7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET(IMBG120R350M1H)。后者采用.XT互連技術,具有與同類產品相比更加出色的熱性能,并且采用了開爾文源極概念。這些功率器件憑借其優(yōu)勢確保了極低的開關損耗,提高了系統(tǒng)效率。

CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin

SiC MOSFET提供3 μs的短路能力,并且MOSFET提供全壓擺率(dV/dt)控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓(VGS(th))。它們還具備強大的抗寄生導通能力,可在0 V關斷電壓下運行。此外,這些MOSFET還包含支持硬換流的強大的體二極管。封裝的爬電距離和電氣間隙為6.1 mm。由于采用SMD封裝, 這些MOSFET可以直接集成到具有自然對流冷卻功能的PCB上,因此無需額外的散熱器。


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