（全球TMT2022年6月30日訊）2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。

三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應(yīng)晶體管"（簡稱: MBCFET^TM  Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時(shí)還通過增加驅(qū)動電流增強(qiáng)芯片性能。三星首先將納米片晶體管應(yīng)用于高性能、低功耗計(jì)算領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃將其擴(kuò)大至移動處理器領(lǐng)域。

3nmGAA 技術(shù)采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA 技術(shù)相比能提供更高的性能和能耗比。3納米GAA 技術(shù)上，三星能夠調(diào)整納米晶體管的通道寬度，優(yōu)化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。此外，GAA 的設(shè)計(jì)靈活性對設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO) 非常有利，有助于實(shí)現(xiàn)更好的PPA 優(yōu)勢。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。