5月16日是聯(lián)合國教科文組織定義的國際光日”，ASML中國官方在一篇微信推送中寫道創(chuàng)新，讓摩爾定律重?zé)ü獠省薄?

ASML中國強(qiáng)調(diào)，過去15年，摩爾定律依然生效且狀況良好，未來十年甚至更長時(shí)間內(nèi)將繼續(xù)保持勢頭。

ASML自信滿滿地指出在元件方面，目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)?a href="/tags/芯片" target="_blank">芯片的制程推進(jìn)至至少1納米節(jié)點(diǎn)，包括gate-all-around FETs(環(huán)繞柵極晶體管)，nanosheet FETs，forksheet FETs以及complementary FETs”。

此外，光刻系統(tǒng)分辨率的改進(jìn)(預(yù)計(jì)每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進(jìn)一步推動芯片尺寸縮小的實(shí)現(xiàn)。

據(jù)了解，納米之后將進(jìn)入埃米時(shí)代，臺積電、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工藝早期路線圖。也許，技術(shù)創(chuàng)新之所以彌足珍貴，內(nèi)核要義就在于不會被困難打倒。從去年開始，半導(dǎo)體芯片行業(yè)出現(xiàn)了新的研究方向，一個(gè)是利用新的疊加芯片的方式，來提高芯片的性能，其中以蘋果的M1double雙芯為代表，我國的華為也發(fā)表了這一方面的專利，另外一個(gè)是光子芯片的研發(fā)，其中荷蘭政府已經(jīng)出資組建高校和科研機(jī)構(gòu)成立了項(xiàng)目組。

這是因?yàn)樵谛袠I(yè)中，大部分人認(rèn)為由于摩爾定律半導(dǎo)體的材料受限，目前的3nm制程至少在兩年內(nèi)還是可以繼續(xù)提供最先進(jìn)制程的芯片，但是大家對于尚在計(jì)劃中的1nm或者2nm的芯片，是否可以取得成功頗有爭議。

業(yè)界的研發(fā)人員都希望能夠在突破摩爾定律方面或者繞開摩爾定律限制方面開始未雨綢繆。但是，2022年5月17日報(bào)道稱，ASML在公眾號發(fā)表文章，稱現(xiàn)有的技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)1nm的工藝，摩爾定律還可以繼續(xù)生效十年或者更長的時(shí)間。

ASML：摩爾定律還可延續(xù)10年，1nm工藝有望

ASML在文章中稱，半導(dǎo)體領(lǐng)域中，摩爾定律一直在過去的50年里不斷演化和推進(jìn)，摩爾提出以最小的成本制造復(fù)雜芯片的預(yù)測，目前被解讀為版代替芯片可容納的晶體管數(shù)量的呈倍數(shù)增長。

摩爾總結(jié)了晶體管數(shù)量翻倍的三個(gè)重要的因素是：增加芯片的面積、縮小元件的尺寸和優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。ASML認(rèn)為這三個(gè)要素目前行業(yè)將在未來十年甚至更長的時(shí)間內(nèi)繼續(xù)得以提升。

ASML分析了在元件方面目前的創(chuàng)新技術(shù)已經(jīng)可以將芯片的制程推進(jìn)到1nm節(jié)點(diǎn)，目前的前瞻性技術(shù)包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及 complementary FETs 等均由很大的機(jī)會可以實(shí)現(xiàn)這一條件。

臺積電，三星是芯片制造巨頭，也是目前唯二進(jìn)入到5nm及以下工藝時(shí)代的芯片制造商。并且在3nm制程工藝方面，二者也都有了明確布局。

另外按照臺積電的計(jì)劃，2025年還會量產(chǎn)2nm。納米芯片發(fā)展到這個(gè)程度，已經(jīng)接近物理芯片規(guī)則的極限了。但光刻機(jī)巨頭ASML正式表態(tài)，摩爾定律還可延續(xù)十年，并且將推進(jìn)到1nm工藝。

結(jié)合ASML的表態(tài)來看，摩爾定律的極限真能被打破嗎?ASML的表態(tài)說明了什么?

關(guān)于芯片行業(yè)的未來，ASML正式表態(tài)

自從芯片制造技術(shù)進(jìn)入到7nm及以下芯片制程之后，關(guān)于摩爾定律的話題討論在業(yè)內(nèi)越來越頻繁。因?yàn)樾酒瞥淘酵?，納米制程工藝的突破就越難。

到了7nm，5nm制程工藝，芯片可容納的晶體管數(shù)量已經(jīng)達(dá)到了百億級別。如果運(yùn)用芯片堆疊封裝技術(shù)，倒是可以實(shí)現(xiàn)千億級晶體管的表現(xiàn)。

但是單純從硅基芯片的物理規(guī)律來看，總會有一個(gè)界限。而這時(shí)候，摩爾定律就會被再次提及。每當(dāng)以為芯片工藝再難突破的時(shí)候，卻總是傳出實(shí)現(xiàn)又一突破進(jìn)展的新消息。就像臺積電已經(jīng)明確規(guī)劃處3nm，2nm芯片的量產(chǎn)時(shí)間。

要想明白芯片行業(yè)的未來如何前行，首先要明白摩爾定律的定義。

這項(xiàng)定律是由英特爾創(chuàng)始人戈登摩爾，其在上個(gè)世紀(jì)六十年代就對未來的芯片行業(yè)發(fā)展做出預(yù)測，認(rèn)為芯片上的元器件數(shù)量會每年翻一倍，并保持十年。

芯片技術(shù)的不斷提升，也驗(yàn)證了這一事實(shí)。并且過了十年之后，戈登摩爾再次修正了摩爾定律，表明每兩年晶體管的數(shù)量會翻倍。

在長達(dá)半個(gè)世紀(jì)的芯片發(fā)展歷程中，當(dāng)人們認(rèn)為芯片工藝的路走到盡頭時(shí)，摩爾定律再次得以體現(xiàn)，極限被打破。直到現(xiàn)在，3nm芯片的量產(chǎn)已經(jīng)在準(zhǔn)備當(dāng)中了。

過去半個(gè)世紀(jì)摩爾定律始終存在，那么未來十年內(nèi)的芯片行業(yè)發(fā)展，又當(dāng)如何呢?對此，ASML正式表態(tài)了。

世間萬物，蕓蕓眾生，其實(shí)并沒有無窮盡的存在，長江的源頭來自于高山融雪，但是，終究也會有用完的一天。我們每天頭上的太陽，其能量內(nèi)核也有用盡的一天。我們每天晚上常常看到的月亮，據(jù)說可能壽命可能也有一百多億年。

因此，目前根本就沒有永恒的存在，在芯片領(lǐng)域，目前市面上已經(jīng)成熟掌握了4納米制程工藝。即將就要觸頂摩爾定律的極限。但是，在阿斯麥爾看來，似乎在先進(jìn)制程方面，還有摩爾定律發(fā)揮的空間。

那么，在芯片先進(jìn)制程即將觸頂摩爾定律極限的今天，為何阿斯麥爾依舊這么地執(zhí)著呢?阿斯麥爾也是有所憑借的，那么，所謂的后手是否能擋得住全球擺脫阿斯麥爾光刻機(jī)的步伐呢?

阿斯麥爾認(rèn)為，現(xiàn)有技術(shù)能實(shí)現(xiàn)1納米

對于目前芯片先進(jìn)制程不斷走向摩爾定律極限的情況下，作為直接影響人，阿斯麥爾似乎并不擔(dān)心，雖然可能有點(diǎn)難以置信，但是事實(shí)確實(shí)如此，今年5月3日，阿斯麥爾在自己的公眾號上面發(fā)布了一篇文章。

在這篇文章中，阿斯麥爾認(rèn)為，現(xiàn)有的技術(shù)已經(jīng)足夠?qū)⑿酒冗M(jìn)制程至少推進(jìn)到1納米節(jié)點(diǎn)，也就是說，阿斯麥爾自信，認(rèn)為如果加把勁，也未必不可能突破1納米，阿斯麥爾認(rèn)為自己完全有能力，能夠在未來十年，甚至更長時(shí)間，保持芯片先進(jìn)。首先就是目前眾多的前瞻性技術(shù)，給了阿斯麥爾足夠的底氣。另外，光刻機(jī)系統(tǒng)的分辨率不斷改進(jìn)，每六年基本上都能縮小兩倍，包括邊緣防止誤差越來越精準(zhǔn)，阿斯麥爾也未必不能推動自己的光刻機(jī)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)芯片尺寸的進(jìn)一步縮小。