5月9日，最新消息稱，全球最大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)決定上馬1.4nm工藝，團(tuán)隊(duì)主要由之前研發(fā)3nm工藝的隊(duì)伍組成，下個(gè)月將會(huì)確認(rèn)，進(jìn)入第一階段TV0開(kāi)發(fā)，主要是制定1.4nm的技術(shù)規(guī)格。

在高精尖芯片工藝方面，臺(tái)積電有多手準(zhǔn)備，目前的3nm計(jì)劃在今年下半年開(kāi)始小規(guī)模量產(chǎn)，2nm工藝還處在建設(shè)過(guò)程，技術(shù)研發(fā)已經(jīng)差不多了，預(yù)計(jì)2024年開(kāi)始試產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)估計(jì)要等到2026年了。

據(jù)了解，1nm這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，制造起來(lái)相當(dāng)困難，而1.4nm已經(jīng)進(jìn)入1nm的工藝范疇，無(wú)論是制造設(shè)備、材料，還是工藝路線都需要全面升級(jí)，即便是2nm已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)，恐怕1.4nm也需要再等個(gè)幾年。

此前，三星將會(huì)在3nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)中采用全新的GAA FET工藝來(lái)提高技術(shù)領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)“彎道超車”，現(xiàn)在已經(jīng)成功流片，而臺(tái)積電方面依舊使用FinFET，可能到2nm節(jié)點(diǎn)才會(huì)使用GAA架構(gòu)。目前可以確定的是，GAA架構(gòu)相比于FinFET有著更好的靜電特性，尺寸也可以進(jìn)一步微縮，適合發(fā)展密度更高的晶體管。

半導(dǎo)體進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)工藝后，能玩得起的公司主要就是臺(tái)積電、三星和英特爾了，如今半導(dǎo)體代工行業(yè)里，占據(jù)份額最高，工藝制程最先進(jìn)的還屬臺(tái)積電。有分析師稱，Intel會(huì)在2025年憑借18A工藝實(shí)現(xiàn)超越。雖然臺(tái)積電目前還處于領(lǐng)先地位，但三星、英特爾追趕的速度很快，要保持行業(yè)優(yōu)勢(shì)，或許只能朝著更先進(jìn)工藝進(jìn)發(fā)。

不出意外，蘋果、英特爾還是第一批吃上臺(tái)積電最先進(jìn)工藝制程的大客戶，安卓陣營(yíng)可能需要等三星3nm GAA工藝落地。不論如何，工藝制程對(duì)性能、能效比等方面的提升還是很明顯的。

當(dāng)然了，現(xiàn)在談?wù)?.4nm還為時(shí)過(guò)早，3nm的良率、生產(chǎn)規(guī)模尚未成熟，2nm就更別提了。就算1.4nm研發(fā)十分順利，可能也要等到2028年，而且小雷預(yù)計(jì)2nm、1.4nm這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的芯片，代工成本都會(huì)有所上漲。