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[導(dǎo)讀]4月2日消息,據(jù)韓國媒體《韓國商業(yè)》報道,近日,三星電子位于中國西安的第二座NAND Flash閃存工廠已完成擴建,并開始全面生產(chǎn)。這實際上也意味著美國倡導(dǎo)的“芯片四方聯(lián)盟”剛提出半個月,即已實際破滅。

4月2日消息,據(jù)韓國媒體《韓國商業(yè)》報道,近日,三星電子位于中國西安的第二座NAND Flash閃存工廠已完成擴建,并開始全面生產(chǎn)。這實際上也意味著美國倡導(dǎo)的“芯片四方聯(lián)盟”剛提出半個月,即已實際破滅。

根據(jù)3月下旬韓國經(jīng)濟媒體《首爾經(jīng)濟》的報道稱,美國近日向韓國及主要半導(dǎo)體企業(yè)提議組成“芯片四方聯(lián)盟”(Chip 4),也向日本及中國臺灣發(fā)出了邀請,這個聯(lián)盟如果真的組建并真的發(fā)揮作用不給中國提供芯片,那對中國影響巨大,因為中國大陸僅2021年就貢獻了全球半導(dǎo)體市場一半以上的銷售額,達(dá)到2991億美元,中國大陸是全球最大的電子產(chǎn)品制造地,但沒有芯片沒法生存。美國老是做這種損人利已的夢想,問題是只有美國受益,別的國家卻跟著倒霉。據(jù)悉,韓國就根本無法接受美國的建議。報道稱,三星西安NAND Flash閃存第二工廠自3月初以來一直在滿負(fù)荷運轉(zhuǎn),每月可生產(chǎn)13萬片12英寸的晶圓,比第一工廠每月12萬片要高出1萬片。

這也使得三星在西安生產(chǎn)的NAND Flash閃存的產(chǎn)量達(dá)到了25萬片/月,在目前三星全球NAND Flash總產(chǎn)量當(dāng)中的占比達(dá)到了40%以上,同時在全球NAND Flash總產(chǎn)能當(dāng)中的占比也達(dá)到了10%。三星怎么可能會放棄百億美元的投資以及中國巨大的芯片市場呢?根據(jù)報道,三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠,預(yù)計總投資為70 億美元,但隨后在一期項目進行擴建后,使得整體投資金額達(dá)到了108.7 億美元。要是搬遷這個工廠,那百億美元就打了水漂,而且三星閃存產(chǎn)品的供應(yīng)也會斷了,將造成的損失遠(yuǎn)不止百億美元。

美國這種損人利己的做法同樣發(fā)生在烏克蘭。據(jù)俄羅斯衛(wèi)星通訊社4日報道,美國迫使歐洲制裁俄羅斯,而自己卻不僅還在繼續(xù)從俄羅斯進口石油,且過去一周的進口規(guī)模還大漲43%,達(dá)到每日10萬桶!此外,美方還批準(zhǔn)本國公司從俄羅斯進口礦物肥料,稱這是生活必需品。但美國并未允許歐洲人也這么做。這導(dǎo)致國家石油和天然氣保障,歐洲國家被迫支付高價格。

Digitimes 報道稱,三星電子 (Samsung Electronics) 唯一海外存儲器生產(chǎn)廠,中國西安 NAND Flash 廠區(qū)第二工廠日前已完成擴建并投產(chǎn)。據(jù)悉,該廠是三星在韓國本土之外,唯一的存儲芯片廠。通過此次擴建,三星電子的 NAND 閃存生產(chǎn)能力將占世界市場的 10% 以上。

陜西日報消息指出,西安三星半導(dǎo)體一期項目于 2012 年 9 月開工建設(shè),2014 年 5 月建成投產(chǎn),投資總額由建廠時計劃的 70 億美元增加到實際完成投資 108.7 億美元,其中閃存芯片項目投資 100 億美元,封裝測試項目投資 8.7 億美元。

曾報道,2017 年 8 月 30 日,西安三星半導(dǎo)體投資 70 億美元在西安高新區(qū)建設(shè) 12 英寸閃存芯片二期項目,新建一條閃存生產(chǎn)線。2019 年 12 月,該公司決定再投資 80 億美元,擬對二期項目進行擴建,實現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)悉,三星電子、SK 海力士等韓國半導(dǎo)體大廠都在中國設(shè)廠,且生產(chǎn)量市占整個半導(dǎo)體工廠的一半。三星電子在中國西安建立生產(chǎn) NAND Flash 存儲芯片月產(chǎn)可以達(dá)到 26.5 萬片 12 吋晶圓。而 SK 海力士也在考慮將重要的生產(chǎn)線遷移至中國當(dāng)?shù)厣a(chǎn)。

2012年9月,西安三星半導(dǎo)體一期項目開工建設(shè),2014年5月建成投產(chǎn)。投資總額由建廠時計劃的70億美元增加到實際完成投資108.7億美元,其中閃存芯片項目投資100億美元,封裝測試項目投資8.7億美元。

2017年8月30日,西安三星半導(dǎo)體投資70億美元在西安高新區(qū)建設(shè)12英寸閃存芯片二期項目,新建一條閃存生產(chǎn)線。2019年12月,該公司決定再投資80億美元,擬對二期項目進行擴建,實現(xiàn)增產(chǎn)及產(chǎn)品迭代。

據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計,通過此次擴建,三星電子的NAND閃存生產(chǎn)能力,極有可能占世界市場的10%以上。

美國參議院再次通過了一項向半導(dǎo)體芯片制造提供520億美元補貼的初步法案。之后,參眾兩院有望開啟談判,法案的最終協(xié)議可能在今年夏季達(dá)成。

自新冠疫情爆發(fā)以來的兩年內(nèi),美國經(jīng)歷了嚴(yán)重的半導(dǎo)體短缺,拜登政府希望以此擴大美國國內(nèi)的芯片制造產(chǎn)能。不過,這引申出了一個問題:芯片補貼法案是否有必要納入非美國公司。

臺積電(104.79, 2.00, 1.95%)和三星電子(208.25, 0.00, 0.00%)已明示美國政府,希望外國半導(dǎo)體公司在美國設(shè)廠時,能被納入到520億美元補貼范圍之中。但英特爾(49.2, 1.09, 2.27%)公司多次表示,美國納稅人的錢應(yīng)該只流向國內(nèi)公司。但事實上,英特爾最頂級的技術(shù)比臺積電和三星至少落后了一代。

臺積電表示:“基于公司總部所在地的任何偏袒和優(yōu)待,并不利于對補貼法案的有效或高效使用,同時也忽視了大多數(shù)領(lǐng)先半導(dǎo)體公司的公共所有權(quán)?!?

臺積電還補充說,美國不應(yīng)該試圖復(fù)制現(xiàn)有的供應(yīng)鏈,而應(yīng)專注于開發(fā)先進技術(shù)來提高競爭力。此外,臺積電還呼吁美國改革移民政策,吸引外國人才幫助推動創(chuàng)新。

三星電子公司也對臺積電的意見表達(dá)了贊同態(tài)度。三星稱,美國政府應(yīng)確保所有符合條件的公司,無論其來自哪里,都能“在一個平等的環(huán)境中”競爭美國的資金。

目前臺積電正在美國亞利桑那州新建一座價值120億美元的工廠,目標(biāo)是在2024年生產(chǎn)5納米芯片,而三星正在得克薩斯州建造一座價值170億美元的工廠,也計劃在同一年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

與此同時,英特爾已宣布在俄亥俄州建立一個價值200億美元的新芯片中心,并在亞利桑那州建造兩個新工廠,以提高公司在美國國內(nèi)的產(chǎn)能。

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