光刻機是芯片生產(chǎn)制造的必要設(shè)備，目前，最先進的光刻機技術(shù)掌握在ASML手中。數(shù)據(jù)顯示，ASML研發(fā)生產(chǎn)的DUV光刻機，能夠生產(chǎn)7nm以上的芯片，而EUV光刻機則能夠生產(chǎn)制造7nm以下的芯片，兩款光刻機幾乎占領(lǐng)了中高端市場。最主要的是，EUV光刻機是生產(chǎn)7nm以下芯片的必要設(shè)備，所以，臺積電才大量安裝EUV光刻機，預(yù)計在2021年安裝超過50臺。另外，三星也加入其中，李在镕更是親自前往ASML，協(xié)商購買更多的EUV光刻機，目的就是提升先進制程芯片的產(chǎn)能和良品率。

但沒有想到的是，就在三星、臺積電等都大量爭奪EUV光刻機之際，ASML卻正式官宣了1nm的光刻機相關(guān)情況。據(jù)悉，生產(chǎn)7nm、5nm、3nm等芯片，EUV光刻機是完全可以滿足需求，但生產(chǎn)2nm以后的芯片，則需要更為先進的光刻機——NAEUV光刻機。數(shù)據(jù)顯示，對于2nm以后的超精細工藝，需要實現(xiàn)更高的分辨率和更高的光刻設(shè)備NA(NA=0.55)。目前，7nm、5nm等則是采用了NA=0.33EUV光刻設(shè)備。

據(jù)IMEC介紹，ASML已經(jīng)完成了作為NXE:5000系列的高NAEUV曝光系統(tǒng)的基本設(shè)計，但商業(yè)化計劃在2022年左右。但這套下一代系統(tǒng)將因其巨大的光學系統(tǒng)而變得非常高大，很有可能頂在傳統(tǒng)潔凈室的天花板下。也就是說，ASML有望在2022年推出NAEUV光刻機，其可以用以生產(chǎn)2nm以下的芯片，像1nm、亞1nm的芯片。面對這樣的這樣情況，只能說這來得太快了。

芯片的發(fā)展十分迅速，如今可以說是剩不下多少發(fā)展空間了，目前已經(jīng)全球已經(jīng)實現(xiàn)4納米芯片的量產(chǎn)，下一代，也就是3納米，也就在今明兩年也就能和市場見面了。然后2納米，然后1納米，然后，就迎來摩爾定律的極限。

為了防止這種情況的出現(xiàn)，為了保住自己的優(yōu)勢地位，臺積電加入了Ulce聯(lián)盟，尋求突破摩爾定律極限的良方。那么，臺積電此舉對于阿斯麥爾而言究竟會帶來怎樣的影響呢?Ulce聯(lián)盟主要就是通過芯片疊加的方式，那么，這個芯片疊加能成功嗎?畢竟這可關(guān)系到臺積電究竟能否如愿打破摩爾定律的極限。

3月3日，芯片制造商英特爾、臺積電、三星聯(lián)合高通、谷歌等十多家國際性企業(yè)巨頭共同宣布，成立UCle聯(lián)盟。這家聯(lián)盟成立的目的其實也很簡單，就是想要打造小芯片互聯(lián)標準，推動開放生態(tài)建設(shè)。

當然，說白了，這個聯(lián)盟的成立就是想要找到將不同類型的芯片堆疊或者封裝等方式組合在一起，以此打造出一顆更強大的芯片，打造出實力更加強勁的芯片系統(tǒng)，盡可能達到一加一大于二的效果。

臺積電不僅僅加入了這個聯(lián)盟，似乎還是這個聯(lián)盟的牽頭人，阿斯麥爾的擔心可能將會一步步逼近。那么，臺積電此舉又會給阿斯麥爾帶來怎樣的影響呢?竟至于讓阿斯麥爾會流露出擔心的情緒呢?

這個聯(lián)盟主要的目的是通過對小芯片的堆疊，朝著更加先進制程芯片，更加強勁性能芯片進軍。重點來了，按照這個理論，其實全程是不需要用到EUV光刻機，當然更不需要用到阿斯麥爾新一代EUV光刻機。

在上月的ITF大會上，半導體行業(yè)大腦imec(比利時微電子研究中心)公布的藍圖顯示，2025年后晶體管進入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，。

當時imec就表示，除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機(EXE:5000)會在2023年由ASML提供給imec，2026年量產(chǎn)。

不過，本月與媒體交流時，ASML似乎暗示這個進度要提前。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進行研發(fā)并從2025年開始量產(chǎn)。

據(jù)悉，相較于當前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機一臺的價格會高達3億美元(約合19億元)，是當前0.33NA的兩倍。

早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并將高NA EUV光刻機視為一次重大技術(shù)突破。

ASML生產(chǎn)的光刻機，客戶都在排隊催著提前交貨，有的機器客戶都等不及測試就直接交貨了。今年的第三季度的新增訂單金額達到62億歐元，其中的29億是訂購EUV光刻機，看上去ASML一天工作48個小時估計沒有辦法按時交貨。

而國際半導體協(xié)會統(tǒng)計，今年全球還將新增19座晶圓廠，明年計劃新增10座。因此市場上對于光刻機的需求量還在不斷增加，尤其是越來越多的EUV光刻機采購需求。這些新工廠大部分都需要向ASML采購光刻機。

僅僅是第三季度，ASML共出貨光刻機79臺，其中包括15臺EUV光刻機，比上個季度多出貨7臺，其中6臺就是EUV光刻機，ArF浸潤式光刻系統(tǒng)也就是DUV光刻機，累計出貨達到了1000臺。

這邊生產(chǎn)已經(jīng)很忙了，然而ASML今日宣布已完成1nm的光刻機設(shè)計，并將在2022年開始商用生產(chǎn)?？礃幼油耆窃诖叽傩酒S快速進行科技研發(fā)啊，或者是準備為明年的新建的芯片工廠都提供1nm芯片光刻機嗎?其實早在2020年12月的中旬，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作開發(fā)光刻技術(shù)的比利時半導體研究組織IMEC就宣布了3nm及以下工藝的技術(shù)細節(jié)。到目前為止，ASML不僅為3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm都制定了清晰的路線圖，而且已經(jīng)完成了 1nm光刻機的設(shè)計。IMEC甚至宣布了1nm及以下工藝的路線圖。

在光刻機領(lǐng)域內(nèi)，ASML是繞不開的話題，原因是ASML研發(fā)制造的光刻機最先進，尤其是EUV光刻機，目前僅有ASML能夠研發(fā)制造。最主要的是，EUV光刻機是生產(chǎn)制造7nm以下芯片的必要設(shè)備，從其被研發(fā)制造出來那一刻開始，EUV光刻機就供不應(yīng)求，至今還積壓了幾十億歐元的訂單。

在這樣的情況下，ASML一邊提升EUV光刻機的產(chǎn)能，預(yù)計今后兩年生產(chǎn)制造115臺EUV光刻機，一邊研發(fā)制造全新一代EUV光刻機，其就是NA值為0.55的EUV光刻機。據(jù)悉，目前ASML正在研發(fā)制造全新一代EUV光刻機，其被命名為NA EUV光刻機，而NA更是高達0.55，相比現(xiàn)有的NA值為0.33的EUV光刻機而言，有明顯的提升。

當然，全新一代光刻機的NA值提升，意味著光刻機精度更高，可以生產(chǎn)制造更小面積的芯片，甚至可達1nm。要知道，臺積電、三星都計劃在2024年量產(chǎn)2nm制程的芯片，而ASML全新一代EUV光刻機也計劃在2023年交付廠商研發(fā)測試，2024年規(guī)模量產(chǎn)。