在全球鬧芯片荒之際，各國爭(zhēng)邀臺(tái)積電設(shè)廠，其中在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年低迷的日本，終于在今年有了新動(dòng)作，此前臺(tái)積電與索尼合作在日本熊本興建晶圓廠，初期生產(chǎn)22~28納米芯片，從已量產(chǎn)5納米芯片的臺(tái)積電來看，日本引進(jìn)的是過去10年的技術(shù)，背后有何盤算呢?

這幾年中，臺(tái)積電一躍成為半導(dǎo)體制造行業(yè)的大哥，不僅是全球晶圓代工的絕對(duì)主力，而且先進(jìn)工藝也超越了Intel、三星等對(duì)手，更是首發(fā)了EUV光刻工藝，明年還要量產(chǎn)3nm工藝。

臺(tái)積電的崛起過程也不是一帆風(fēng)順的，實(shí)際上還非常艱辛，因?yàn)?0年前Intel等公司如日中天的時(shí)候，一度將臺(tái)積電排除在先進(jìn)工藝之外。

前臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)日前提到了這段往事，他指出2002年左右，Intel拉攏摩托羅拉、AMD等公司成立了EUV LCC聯(lián)盟，一起出錢出力研發(fā)EUV光刻設(shè)備，希望用于未來的60nm、40nm等工藝。

當(dāng)時(shí)臺(tái)積電也希望參與EUV聯(lián)盟，但是被排擠，因?yàn)橹幌抻?家公司，最終IBM搶到最后一個(gè)位置，臺(tái)積電無緣。

雖然臺(tái)積電沒有加入EUV聯(lián)盟，但是他們并沒有灰心，轉(zhuǎn)而研究了沉浸式光刻技術(shù)(光刻工藝與折射率相關(guān)，水中的折射率比空氣要高，有利于提高光刻分辨率)，最終實(shí)現(xiàn)了翻身，現(xiàn)在沉浸式光刻技術(shù)已經(jīng)成為主流，ASML的先進(jìn)光刻機(jī)都應(yīng)用了該技術(shù)。

林本堅(jiān)指出，當(dāng)年參與EUV聯(lián)盟的半導(dǎo)體企業(yè)中，除了Intel，其他5家公司已經(jīng)退出芯片制造了。

PS：對(duì)于臺(tái)積電來說，林本堅(jiān)是臺(tái)積電工藝翻身的大佬之一，他在IBM公司工作了22年，主要從事光刻技術(shù)研究，2000年被蔣尚義招募到臺(tái)積電，2002年提出沉浸式光刻技術(shù)，帶領(lǐng)臺(tái)積電在芯片制造上翻身，奠定了今日的基礎(chǔ)，功不可沒。