2021年12月13日，針對1.6T光接口的MSA(Multi-Source Agreement，多源協議)行業(yè)聯盟宣布成立，宣告1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。

然而，1.6Tb/s光芯片在速率、集成度、封裝技術等方面都具有極高挑戰(zhàn)，國際上還沒有明確和完善的解決方案。

近日，國家信息光電子創(chuàng)新中心(NOEIC)、鵬城實驗室、中國信息通信科技集團光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、武漢光迅科技股份有限公司，在國內率先完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的聯合研制和功能驗證，實現了我國硅光芯片技術向Tb/s級的首次跨越。

據介紹，研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調制器和高速光電探測器，每個通道可實現200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉換，最終經過芯片封裝和系統傳輸測試，完成了單片容量高達8 x 200Gb/s光互連技術驗證。

該工作刷新了國內此前單片光互連速率和互連密度的最好水平，展現出硅光技術的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢，為下一代數據中心內的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

此前，國際上也僅有英特爾在2020年展示了1.6Tbps的光子引擎，基于英特爾硅光平臺上設計和制造，可提供四個400GBase-DR4接口。

NOEIC一直致力于推動高端光電子芯片的技術演進、國內首產和產業(yè)轉化。近年來，在超高速光收發(fā)芯片技術上獲得持續(xù)突破，相繼研制出一系列新型的超100Gbaud硅光調制器和探測器成果，先后在Nature Communications、IEEE JSSC、ECOC PDP、ACP PDP上發(fā)布，并入選“中國光學十大進展”、“中國半導體十大研究進展”，面向Tb/s光模塊作出了充分的技術儲備。

NOEIC同時積極參與和推動相關標準制定工作，牽頭中國通信標準化協會(CCSA)“100GBaud及以上高速光收發(fā)器件研究”、“800G光收發(fā)合一模塊：4×200G”標準，為我國高速光模塊行業(yè)標準制定貢獻力量。國家信息光電子創(chuàng)新中心將繼續(xù)聯合國內優(yōu)勢單位，共同完成相關技術驗證和產業(yè)轉化等工作，力爭為我國信息光電子行業(yè)提速升級、快速占據產業(yè)制高點提供有力支撐。

硅光市場快速增長，400G模塊已進入商用

隨著超級計算、人工智能、5G等新興技術的蓬勃發(fā)展，全球數據交換需求爆發(fā)式增長，光收發(fā)模塊市場已達千億。目前，國際上400G光模塊進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術標準正在推進中。2021年12月13日，針對1.6T光接口的MSA(Multi-Source Agreement，多源協議)行業(yè)聯盟宣布成立，宣告1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。然而，1.6Tb/s光芯片在速率、集成度、封裝技術等方面都具有極高挑戰(zhàn)，國際上還沒有明確和完善的解決方案。

美國廠商占據市場主導地位，國產廠商已實現技術突破

目前，全球硅光產業(yè)鏈已經逐漸成熟，從基礎研發(fā)到商業(yè)應用的各個環(huán)節(jié)均有代表性的企業(yè)。其中以Intel、Acacia、 Luxtera、Cisco、Inphi為代表的美國企業(yè)占據了硅光芯片和模塊出貨量的大部分，成為業(yè)內領頭羊。

國內廠商主要有華為、光迅科技、亨通光電、博創(chuàng)科技、新易盛等，雖然進入該領域較晚，市場份額相對較小。但是通過近年來在技術上的快速追趕，國產廠與國外廠商在技術上的差距已經是越來越小。

早在2020年2月，華為就在倫敦發(fā)布了800G可調超高速光模塊。

據華為介紹，這款產品支持200G-800G速率靈活調節(jié);單纖容量達到48T，對比業(yè)界方案高出40%;基于華為信道匹配算法，傳輸距離相比業(yè)界提升20%。這款產品被應用在全系列的華為OptiXtrans光傳送產品中，是華為光網絡頂級競爭力的重要組成部分。

隨著此次國內完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的聯合研制和功能驗證，使得我國的硅光技術上實現了對于國外的追趕。