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[導(dǎo)讀]摘要:為了更好地解決薄膜型硫化鉛紅外傳感器在化學(xué)沉淀法制膜過(guò)程中的溫度的控制問(wèn)題,采用模糊自整定PID控制算法設(shè)計(jì)了一個(gè)化學(xué)沉淀溫度自動(dòng)控制系統(tǒng),控溫精度達(dá)到1.5°C以內(nèi),達(dá)到了薄膜型硫化鉛紅外傳感器化學(xué)制膜過(guò)程的溫度控制要求。

引言

硫化鉛紅外傳感器薄膜的制作方法是將多種化學(xué)藥劑在一定的溫度條件下按一定的規(guī)則加入事先放有基片的反應(yīng)杯內(nèi),按特定的溫度曲線進(jìn)行加熱,配制的料液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后在基片上生成硫化鉛薄膜。目前的溫度控制方法是甘油加熱法,由人工操作將120。。的甘油做為加熱介質(zhì),通過(guò)油泵注入反應(yīng)杯加熱槽,依靠甘油的注入量來(lái)控制沉淀料液的溫度,控溫精度得不到保證。為了提高化學(xué)沉淀過(guò)程中的控溫度精度,本文采用模糊自整定PID控制設(shè)計(jì)了一個(gè)電加熱化學(xué)沉淀溫度自動(dòng)控制系統(tǒng),控溫精度達(dá)到±1.5°C以內(nèi),達(dá)到了薄膜型硫化鉛紅外傳感器化學(xué)制膜過(guò)程的溫度控制要求。

1系統(tǒng)組成及原理

系統(tǒng)建立的主要目的是通過(guò)單片機(jī)的有效控制,使化學(xué)沉淀溫度按照設(shè)定的溫度曲線進(jìn)行升溫??刂葡到y(tǒng)硬件由89C55WD單片機(jī)、AI501測(cè)溫儀、D/A器轉(zhuǎn)換及V/I轉(zhuǎn)換器、AIJK3調(diào)功觸發(fā)器、加熱絲、沉淀槽、微型打印機(jī)、液晶顯示器等組成。AI501測(cè)溫儀測(cè)量沉淀料液溫度,通過(guò)串口送89C55WD單片機(jī),顯示、存儲(chǔ)、打印數(shù)據(jù),進(jìn)行模糊PID控制運(yùn)算輸出數(shù)字信號(hào),經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換及V/I轉(zhuǎn)換為0?20mA標(biāo)準(zhǔn)電流信號(hào)控制調(diào)功觸發(fā)器輸出加熱電壓,保證料液溫度按設(shè)定的溫度曲線變化。

2建立化學(xué)沉淀標(biāo)準(zhǔn)溫度曲線模型

化學(xué)沉淀標(biāo)準(zhǔn)溫度曲線是一條連續(xù)上升的非線性曲線,由初溫(18?22C)至終點(diǎn)溫度90為了便于單片機(jī)處理,將一條連續(xù)的非線性化學(xué)沉淀標(biāo)準(zhǔn)溫度曲線分成多條線段,每個(gè)短線段近似為一條直線段,建立一條經(jīng)線性化處理的化學(xué)沉淀標(biāo)準(zhǔn)溫度曲線。單片機(jī)根據(jù)每條線段的起點(diǎn)溫度、終點(diǎn)溫度、起點(diǎn)時(shí)間、終點(diǎn)時(shí)間參數(shù)計(jì)算出斜率和對(duì)應(yīng)時(shí)間點(diǎn)的溫度值。圖1選取三種不同型號(hào)硫化鉛紅外傳感器各自的標(biāo)準(zhǔn)溫度沉淀曲線。

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用


其中:K表示斜率;Tb1表示段的終點(diǎn)溫度;Tb°表示段的起點(diǎn)溫度;1表示段的終點(diǎn)時(shí)間;0表示段的起點(diǎn)時(shí)間;表示標(biāo)準(zhǔn)溫度;表示當(dāng)前沉淀時(shí)間。

3建立控制算法模型

不同硫化鉛紅外傳感器,它們的化學(xué)沉淀標(biāo)準(zhǔn)溫度曲線有很大差別。為了方便工作,系統(tǒng)具有輸入新曲線或修改曲線參數(shù)功能。為達(dá)到精確控制的目的,針對(duì)PID控制和模糊控制的優(yōu)缺點(diǎn),采用模糊自整定PID控制算法控制化學(xué)沉淀料液溫度。使化學(xué)沉淀溫度自動(dòng)控制系統(tǒng)能夠根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整比例系數(shù)Kp、積分系數(shù)K和微分系數(shù)Kd,以達(dá)到調(diào)節(jié)作用的實(shí)時(shí)最優(yōu)。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖2所示。

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用

4模糊控制規(guī)則表的建立

4.1灼,控制設(shè)計(jì)

在PID控制中,Kp值的選取決定于系統(tǒng)的響應(yīng)速度。調(diào)節(jié)初期應(yīng)適當(dāng)取較大的Kp值以提高響應(yīng)速度,在調(diào)節(jié)中期,Kp則取較小值,以使控制過(guò)程減少溫度的過(guò)沖或者加熱不夠的情況發(fā)生,并且保證系統(tǒng)具有較快的響應(yīng)速度;為了提高升溫過(guò)程中的控制精度,在調(diào)節(jié)后期適當(dāng)調(diào)大Kp值以便減小靜差。Kp控制設(shè)計(jì)如表1所列。

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用

4.2K控制設(shè)計(jì)

在溫度控制過(guò)程中,積分Ki的作用是消除控溫過(guò)程中的穩(wěn)態(tài)誤差。溫度控制過(guò)程的開(kāi)始階段,積分K應(yīng)適當(dāng)減小,最小可以為0;而到了溫度控制的中間階段,積分K應(yīng)適當(dāng)增大,這樣就保證了控溫系統(tǒng)的穩(wěn)定性;到了溫度控制的最后階段,為了減小靜差,應(yīng)該再次增強(qiáng)積分K的作用。積分K控制設(shè)計(jì)表如表2所列。

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用

4.3Kd控制設(shè)計(jì)

溫度控制過(guò)程中的微分爲(wèi)控制調(diào)節(jié)是為了解決大慣性過(guò)沖而引入的,微分調(diào)節(jié)系數(shù)是為了改變溫度控制系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)特性。在硫化鉛紅外傳感器薄膜的制作過(guò)程中,有某些階段升溫速率特別快,這就要求在調(diào)節(jié)的初始階段,為了得到最小的超調(diào),此時(shí)應(yīng)該加大微分Kd的控制作用;而到了溫度控制的中期,應(yīng)適當(dāng)減小并保持微分Kd值固定不變;到了溫度控制的后期應(yīng)適當(dāng)減小微分Kd的值,可以增強(qiáng)溫度升溫過(guò)程中的制動(dòng)作用,進(jìn)一步補(bǔ)償在調(diào)節(jié)過(guò)程初始階段由于微分Kd值取值較大而引起的溫度調(diào)節(jié)過(guò)程中的時(shí)間T的延長(zhǎng)。微分Kd控制設(shè)計(jì)如表3所列。

5輸出量計(jì)算

通過(guò)模糊控制設(shè)計(jì)表可以求得Kp、K、、Kd,運(yùn)用重心法逆模糊化后的處理公式如下:

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用

其中:u(k)表示為k采樣周期時(shí)的輸出;e(k)表示為k采樣周期時(shí)的偏差;表示為采樣周期。通過(guò)輸出u(k)乘以相應(yīng)的比例因子Ku就可得出精確的輸出量u其公式如下:

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用


6控溫程序設(shè)計(jì)

該系統(tǒng)采用MS51匯編碼設(shè)計(jì)程序,軟件設(shè)計(jì)包含四個(gè)部分,液晶顯示及驅(qū)動(dòng)程序(包含菜單、參數(shù)修改、實(shí)時(shí)時(shí)鐘)、打印程序、標(biāo)準(zhǔn)溫度沉淀曲線計(jì)算程序、控溫程序(模糊自整定PID運(yùn)算)。控溫程序框圖如圖4所示。

模糊自整定PID控制算法在薄膜型硫化鉛紅外傳感器制作中的應(yīng)用

沉淀開(kāi)始,89C55WD單片機(jī)先從X5045讀取首條線段參數(shù)(線段的起點(diǎn)溫度、終點(diǎn)溫度、起點(diǎn)時(shí)間、終點(diǎn)時(shí)間參數(shù)),按式(1)計(jì)算出斜率,根據(jù)斜率與實(shí)時(shí)時(shí)間的關(guān)系,按式(2)計(jì)算出實(shí)時(shí)標(biāo)準(zhǔn)溫度。采樣周期設(shè)為1s,每秒采樣三次進(jìn)行濾波處理,然后進(jìn)行差值運(yùn)算,模糊自整定PID運(yùn)算處理,輸出控制量。首條線段沉淀結(jié)束再調(diào)用第二段,以此類推直至沉淀結(jié)束。

7結(jié)語(yǔ)

采用模糊自整定PID控制設(shè)計(jì)的化學(xué)沉淀溫度自動(dòng)控制系統(tǒng),控溫精度達(dá)到±1.5。。以內(nèi),已投入在實(shí)際應(yīng)用中。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期使用,系統(tǒng)運(yùn)行穩(wěn)定可靠,完全滿足設(shè)計(jì)要求。

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