在較長一段時期內，集成電路封裝幾乎沒有多大變化，6～64根引線的扁平和雙列式封裝，基本上可以滿足所有集成電路的需要。對于較高功率的集成電路，則普遍采用金屬圓形和菱形封裝。但是隨著集成電路的迅速發(fā)展，多于64，甚至多達幾百條引線的集成電路愈來愈多。如日本40億次運算速度的巨型計算機用一塊ECL.復合電路，就采用了462條引線的PGA。過去的封裝形式不僅引線數(shù)已逐漸不能滿足需要，而且也因結構上的局限而往往影響器件的電性能。

同時，整機制造也正在努力增加印制線路板的組裝密度、減小整機尺寸來提高整機性能，這也迫使集成電路去研制新的封裝結構，新的封裝材料來適應這一新的形勢。因此，集成電路封裝的發(fā)展趨勢大體有以下幾個方面：1.表面安裝式封裝將成為集成電路封裝主流 集成電路的表面安裝結構是適應整機系統(tǒng)的需要而發(fā)展起來的，主要是因為電子設備的小型化和輕量化，要求組裝整機的電子元器件外形結構成為片式，使其能平貼在預先印有焊料膏的印制線路板焊盤上，通過再流焊工藝將其焊接牢固。這種作法不僅能夠縮小電子設備的體積，減輕重量，而且這些元器件的引線很短，可以提高組裝速度和產品性能，并使組裝能夠柔性自動化。表面安裝式封裝一般指片式載體封裝、小外形雙列封裝和四面引出扁平封裝等形式，這類封裝的出現(xiàn)，無疑是集成電路封裝技術的一大進步。2.集成電路封裝將具有更多引線、更小體積和更高封裝密度隨著超大規(guī)模和特大規(guī)模集成電路的問世，集成電路芯片變得越來越大，其面積可達7mm×7mm，封裝引出端可在數(shù)百個以上，并要求高速度、超高頻、低功耗、抗輻照，這就要求封裝必須具有低應力、高純度、高導熱和小的引線電阻、分布電容和寄生電感，以適應更多引線、更小體積和更高封裝密度的要求。要想縮小封裝體積，增加引線數(shù)量.唯一的辦法就是縮小封裝的引線間距。一個40線的雙列式封裝要比68線的H式載體封裝的表面積大20%，其主要區(qū)別就是引線目距由2.54mm改變自1.27mm或1.00cmm。不難想像，如果引線間距進而改變?yōu)?.80mm，O.65mm甚至0 50mm，則封裝的表面積還會太大地縮小。但是為了縮小引線間距，這勢必帶來了一系列新的目題，如印線精密制造就必須用光致腐蝕的蝕刻工藝來代替機械模具的沖制加工，并必須解決引線間距縮小所引起的引線間絕緣電阻的降低和分步電容的增大等各個方面研究課題。集成電路芯片面積增大，通常其相應封裝面積也在加大，這就對熱耗散問題提出了新的挑戰(zhàn)。這個問題是一個綜臺性的，它不僅與芯片功率、封裝材料、封裝結構的表面積和最高結溫有關，還與環(huán)境溫度和冷玲方式等有關，這就必須在材料的選擇、結構的設計和冷卻的手段等方面作出新的努力。3.塑料封裝仍然是集成自路的主要封裝形式塑料模塑封裝具有成本低、工藝簡單和便于自動化生產等優(yōu)點，雖然在軍用集成電路標準中明文規(guī)定，封裝結構整體不得使用任何有機聚合物材料，但是在集成電路總量中，仍有85%以上采用塑料封裝。塑料封裝與其他封裝相比，其缺點主要是它屬于非氣密或半氣密封裝，所以抗潮濕性能差，易受離子污染;同時熱穩(wěn)定性也不好，對電磁波不能屏蔽等，因而對于高可靠的集成電路不宜選用這種封裝形式。

但是近幾年來，塑料封裝的模塑材料、引線框架和生產工藝已經不斷完善和改進，可靠性也已大大提高，相信在這個基礎上，所占封裝比例還會繼續(xù)增大。4.直接粘結式封裝將取得更大發(fā)展集成電路的封裝經過插入式、表面安裝式的變革以后，一種新的封裝結構—直接粘結式已經經過研制、試用達到了具有商品化的價值，并且取得了更大的發(fā)展，據國際上預測，直接粘結式封裝在集成電路中所占比重將從1990年的8%上升至2000年的22%，這一迅速上升的勢頭，說明了直接粘結式封裝的優(yōu)點和潛力。所謂直接粘結式封裝就是將集成電路芯片直接粘結在印制線路板或覆有金屬引線的塑料薄膜的條帶上，通過倒裝壓焊等組裝工藝，然后用有機樹脂點滴形加以覆蓋。當前比較典型的封裝結構有芯片板式封裝(COB)、載帶自動焊接封裝(TAB)和倒裝芯片封轉(FLIPCHIP)等樹種，而其中COB封裝和TAB封裝已經大量使用于音樂、語音、鐘表程控和照相機快門等直接電路。直接粘結式封裝其所以能夠迅速發(fā)展，最重要的因素是它能適用于多引線、小間距、低成本的大規(guī)模自動化或半自動化生產，并且簡化了封裝結構和組裝工藝。例如COB封裝不再使用過去的封裝所必需的金屬外引線;TAB封裝采用倒裝壓焊而不再使用組裝工藝必須的內引線鍵合。這樣，一方面減少了鍵合的工作量，另一方面因減少引線的壓焊點數(shù)而提高了集成電路的可靠性。在中國COB封裝已經大量生產，而TAB封裝尚處于開發(fā)階段，相信在今后的集成電路中，這類封裝會占據一定的地位和取得更大的發(fā)展。5. 功率集成電路封裝小型化已成為可能功率集成電路的封裝結構，受封裝材料的導熱性能影響，造成封裝體積較大而與其他集成電路不相匹配，已成為人們關注的問題之一，而關鍵所在是如何采用新的封裝材料。功率集成電路所用的封裝材料，不僅要求其導熱性能好，而且也要求線膨脹系數(shù)低，并具備良好的電氣性能和機械性能。隨著科學的進步，一些新的材料已經開始應用到集成電路方面來，如導熱性能接近氧化鈹(BeO)線膨脹系數(shù)接近硅(Si)的新陶瓷材料—氮化鋁(AlN)，將成為功率集成電路封裝結構的主體材料，從而大大地縮小了體積和改善了電路的性能，相信將來還會有更多的新材料參與到這一領域中來，使功率集成電路能進一步縮小體積。另外，采用氟利昂小型制冷系統(tǒng)對功率集成電路進行強制冷卻，以降低其表面環(huán)境溫度來解決封裝的功耗，已在一些大型計算機中得到實現(xiàn)。這樣在改變封裝結構的外形設計、使用新的封裝材料的同時，再改善外部冷卻條件，那么集成電路的熱性能就可取得更大的改善。