Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布大幅擴展其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率器件產(chǎn)品組合，推出頻率最高可達20千兆赫(GHz)的新款單片微波集成電路(MMIC)和分立晶體管。這些器件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度，為5G、電子戰(zhàn)、衛(wèi)星通信、商業(yè)和國防雷達系統(tǒng)及測試設備等應用提供了新的性能水平。

與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結溫下使用壽命超過100萬小時。

這些產(chǎn)品包括覆蓋2至18 GHz、12至20 GHz、3 dB壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達20W、效率高達25%的12至20 GHz的氮化鎵MMIC;用于S和X波段、PAE高達60%的裸片和封裝氮化鎵MMIC放大器，以及覆蓋直流至14 GHz、P3dB射頻輸出功率高達100W，最大效率為70%的分立高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“Microchip持續(xù)投入打造GaN射頻產(chǎn)品系列，以支持從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產(chǎn)品組合包括從低功率水平到2.2千瓦的50多種器件。今天宣布推出的產(chǎn)品跨越了2至20 GHz，旨在解決5G和其他無線網(wǎng)絡采用的高階調制技術帶來的線性度和效率挑戰(zhàn)，以及滿足衛(wèi)星通信和國防應用的獨特需求。”

除GaN器件外，Microchip的射頻半導體產(chǎn)品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模塊、低噪聲放大器、前端模塊(RFFE)、變容二極管、肖特基和PIN二極管、射頻開關和電壓可變衰減器。此外，公司還提供高性能表面聲波(SAW)傳感器和微機電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器以及高度集成的模塊。這些模塊將單片機(MCU)與射頻收發(fā)器(Wi-Fi® MCU)相結合，支持從藍牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程無線通信協(xié)議。

開發(fā)工具

Microchip及其分銷合作伙伴均提供電路板設計支持，幫助客戶進行設計。此外，公司還為該款全新GaN產(chǎn)品提供緊湊型模型，讓客戶能夠更容易建立性能模型，加快系統(tǒng)中功率放大器的設計。

供貨

今日發(fā)布的器件(包括ICP0349和ICP0349PP7)以及其他Microchip射頻產(chǎn)品均已投入量產(chǎn)。如需了解更多信息，請聯(lián)系Microchip銷售代表或訪問Microchip網(wǎng)站。如需購買Microchip GaN產(chǎn)品，請聯(lián)系Microchip授權分銷商。