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[導(dǎo)讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MPS MP6400 監(jiān)控器的有關(guān)報(bào)道,通過(guò)閱讀這篇文章,大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)MPS MP6400 監(jiān)控器的有關(guān)報(bào)道,通過(guò)閱讀這篇文章,大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí),主要內(nèi)容如下。

一、MP6400監(jiān)控器概述

MP6400系列監(jiān)控器產(chǎn)品為微處理器(μP)監(jiān)控電路,可用于監(jiān)控最低0.4V系統(tǒng)電壓并提供復(fù)位功能。當(dāng)SENSE電壓降至其閾值(VIT)以下,或手動(dòng)復(fù)位(MR)電壓被拉至邏輯低電平時(shí),RESET信號(hào)將被置為有效。復(fù)位電壓可以出廠設(shè)置為0.9V至5V的標(biāo)準(zhǔn)電壓軌,而MP6400DG(J)-01的復(fù)位電壓則可通過(guò)外部電阻分壓器進(jìn)行調(diào)節(jié)。當(dāng)SENSE電壓超過(guò)其閾值時(shí),經(jīng)過(guò)用戶可調(diào)的延遲時(shí)間之后,將被拉至邏輯高電平。MP6400具有1.6uA典型值的超低靜態(tài)電流,因此非常適合電池供電應(yīng)用。它提供了精確的基準(zhǔn)電壓,可實(shí)現(xiàn)±1%的閾值精度。其復(fù)位延遲時(shí)間可以通過(guò)連接在CDELAY和GND之間的電容器來(lái)選擇,用戶可在2.1ms至10s之間選擇任意值。將CDELAY引腳連接到VCC,延遲時(shí)間為380ms;將CDELAY引腳懸空,延遲時(shí)間則為24ms。MP6400監(jiān)控器采用TSOT23和6引腳2mm×2mm QFN封裝。

二、MP6400監(jiān)控器詳述

通過(guò)上面的介紹,想必大家對(duì)MP6400已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識(shí)。接下來(lái),我們從復(fù)位輸出功能、監(jiān)控電壓、監(jiān)控多個(gè)系統(tǒng)電壓以及可編程復(fù)位延遲時(shí)間這4個(gè)方面來(lái)詳細(xì)看下MP6400的表現(xiàn)如何。

1.復(fù)位輸出功能

MP6400監(jiān)控器 RESET 輸出通常連接到微處理器的 RESET 輸入。當(dāng) RESET 未被置位時(shí),必須連接一個(gè)上拉電阻以保持該信號(hào)為高電平。通過(guò)一個(gè)從電源線上拉的電阻,允許復(fù)位信號(hào)的電壓高于 VCC(最高 6V)。如果電壓低于 0.8V,則 RESET 輸出不確定。 這種情況一般可以忽略,因?yàn)榇蠖鄶?shù)微處理器在這種狀態(tài)下不工作。當(dāng) SENSE 和 MR 均高于其閾值電壓時(shí),RESET 輸出保持邏輯高電平。 一旦兩者中的任何一個(gè)低于其閾值,RESET 將被斷言。從 MR 再次為邏輯高且 SENSE 高于 VIT + VHYS(閾值遲滯)這一點(diǎn)來(lái)看,RESET 將在復(fù)位延遲時(shí)間后被驅(qū)動(dòng)為邏輯高。復(fù)位延遲時(shí)間可由 CDELAY 引腳編程。由于 RESET 引腳的阻抗有限,上拉電阻應(yīng)大于 10kΩ。

2.監(jiān)控電壓

SENSE 輸入引腳直接或通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)(在 MP6400DJ-01 上)連接到受監(jiān)控的系統(tǒng)電壓。 當(dāng)引腳上的電壓低于 VIT 時(shí),RESET 被斷言。 閾值滯后將防止芯片響應(yīng) SENSE 引腳上的擾動(dòng)。一個(gè) 1nF 到 10nF 的旁路電容應(yīng)該放在這個(gè)引腳上以增加它的抗噪聲能力。兩個(gè)外部電阻器形成了一個(gè)從受監(jiān)控電壓到 GND 的分壓器。 它的抽頭連接到 SENSE 引腳。 該電路可用于監(jiān)測(cè)任何高于 0.4V 的電壓。

3.監(jiān)控多個(gè)系統(tǒng)電壓

手動(dòng)復(fù)位 (MR) 可以引入另一個(gè)邏輯信號(hào)來(lái)控制 RESET。 當(dāng) MR 為邏輯低電平 (0.25VCC) 時(shí),RESET 將被置位。 在 SENSE 和 MR 均高于其閾值后,RESET 將在復(fù)位延遲時(shí)間后被驅(qū)動(dòng)為邏輯高電平。 MR 通過(guò)一個(gè) 90kΩ 電阻在內(nèi)部連接到 VCC,因此該引腳可以浮動(dòng)。如果 MR 上的信號(hào)未達(dá)到 VCC,則會(huì)有額外的電流通過(guò)內(nèi)部 90kΩ 上拉電阻。

4.可編程復(fù)位延遲時(shí)間

最后,我們來(lái)看看MP6400監(jiān)控器在可編程復(fù)位延遲時(shí)間方面的表現(xiàn)。

復(fù)位延遲時(shí)間可以通過(guò) CDELAY 配置進(jìn)行編程。 CDELAY 通過(guò) 50kΩ 到 200kΩ 之間的電阻連接到 VCC 時(shí),延遲時(shí)間為 380ms。 CDELAY 懸空時(shí),延遲時(shí)間為 24ms。此外,CDELAY 連接到 GND 的電容器可用于獲得用戶可編程的 2.1ms 到 10s 的延遲時(shí)間。復(fù)位延遲時(shí)間由外部電容的充電時(shí)間決定。當(dāng) SENSE 高于 VIT 且 MR 為邏輯高電平時(shí),內(nèi)部 140nA 電流源被啟用并開(kāi)始為電容器充電以設(shè)置延遲時(shí)間。當(dāng)電容電壓升至 1.13V 時(shí),RESET 置為無(wú)效。當(dāng) RESET 再次有效時(shí),電容器將放電。 雜散電容可能會(huì)導(dǎo)致延遲時(shí)間的誤差。強(qiáng)烈建議使用低漏電的陶瓷電容器。

以上便是小編此次帶來(lái)的全部?jī)?nèi)容,十分感謝大家的耐心閱讀,想要了解更多相關(guān)內(nèi)容,或者更多精彩內(nèi)容,請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。

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