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Refractory Barrier Metal
隨著在大約相同硅面積上封裝的器件數(shù)目的不斷增加，集成電路的尺寸穩(wěn)步縮小。為了獲得必須的封裝密度，contact和via openings的sidewall變得越來(lái)越陡。鋁蒸汽沉積時(shí)并不是各向同性的；穿過(guò)氧化物臺(tái)階的金屬比較薄(圖
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