據(jù)微博網(wǎng)友最新爆料,Helio X30將會采用臺積電10nm FinFET新工藝制造,預(yù)計今年6月份流片,年底就量產(chǎn),號稱是量產(chǎn)最快的10nm芯片。
相關(guān)消息指出,聯(lián)發(fā)科Helio X30除了采用10nm制程、特殊三叢集設(shè)計制作外,更將采用ARM全新處理核心架構(gòu)“Artemis”,以及改用Imagination Technologies旗下PowerVR GPU,并且整合LTE Cat. 13數(shù)據(jù)晶片。