為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內存帶寬,HBM2E和GDDR6已經成為了設計者的兩個首選方案。在進行這種高性能的內存系統(tǒng)設計時,其中的接口芯片(PHY)的性能、安全性和可靠性也是非常重要的器件。
當前,隨著人工智能/機器學習(AI/ML)的極速興起,智能技術正被廣泛應用于制造業(yè)、交通、醫(yī)療、教育和金融等各個領域,人工智能將掀起下一次工業(yè)革命。
AMD及NVIDIA新一代顯卡開始使用GDDR6顯存,更高端的產品才有可能使用HBM顯存,其帶寬遠高于GDDR技術。目前的HBM內存/顯存主要是三星、SK海力士在生產,美光此前表態(tài)不會錯過這個市場,5
7月2日消息 據外媒 prnewswire 今日報道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。 IT之家了解到,去年 8 月 SK 海力士宣布成功研發(fā)出
不出意外的話,3月初的財務分析師會議會上AMD就會宣布RDNA2代GPU架構,不僅支持硬件光追,而且規(guī)模更大,傳聞中big Navi大核心性能可超越RTX 2080 Ti,有可能命名為RX 5950
雖然封裝不易,但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家;不同于 Samsung 稱為 Flashbolt,SK海力士方面只用 HBM2E 來稱呼它。
SK海力士8月12日宣布,公司開發(fā)出了業(yè)界處理速度最快的新一代存儲芯片HBM新產品“HBM2E”(見照片)。HBM是高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory)的縮寫,數據處理速度比傳統(tǒng)的DRAM有了革命性提升。