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FinFET工藝的布局布線的三大挑戰(zhàn)
隨著高級(jí)工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí)，他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制，另外為降低功耗和
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格芯：終止7nm技術(shù)并不意味著對(duì)FinFET工藝的放棄
格芯經(jīng)過(guò)慎重考慮，對(duì)產(chǎn)品路線圖進(jìn)行了重新的調(diào)整和定義，在宣布中止7nm等先進(jìn)工藝的研發(fā)之后，公司將把資金投入到客戶需求更加迫切的物聯(lián)網(wǎng)、IoT、5G和汽車(chē)等行業(yè)。而在這一轉(zhuǎn)型過(guò)程中，F(xiàn)inFET、FDX、RF和Analog Mixed Signal技術(shù)成為支撐格芯差異化發(fā)展戰(zhàn)略的四大支柱。
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Radeon RX 590的包裝圖曝光：確實(shí)是12nm FinFET工藝
本來(lái)以為是風(fēng)傳的“Radeon RX 590”顯卡“越來(lái)越有鼻子有眼”，消息人士甚至給出了11月15日發(fā)布，2099元的價(jià)格。據(jù)Hardwareluxx，兩張Radeon RX 590的包裝圖新鮮曝光
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中芯發(fā)布Q2財(cái)報(bào)：營(yíng)收達(dá)8.907億美元，凈利潤(rùn)大超預(yù)期
中芯目前仍處于過(guò)渡時(shí)期，但整體運(yùn)營(yíng)狀況優(yōu)于預(yù)期。目前已經(jīng)在14nm FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展，第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。28nm工藝方面，28nm HKC版本產(chǎn)量持續(xù)上升，良率達(dá)到業(yè)界水平.
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Mentor擴(kuò)展解決方案以支持TSMC 7nm FinFET Plus和 12nm FinFET工藝技術(shù)
Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 獲得 TSMC 12nm FinFET Compact Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
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Xilinx 16nm UltraScale+實(shí)現(xiàn)2至5倍的性能功耗比優(yōu)勢(shì)
臺(tái)積公司的16nm FinFET工藝與賽靈思最新UltraRAM和SmartConnect技術(shù)相結(jié)合，使賽靈思能夠繼續(xù)為市場(chǎng)提供超越摩爾定律的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。賽靈思憑借其28nm 7系列全可編程系列以及率先上市的20nm UltraScale™系列，
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