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臺(tái)積電三星爭(zhēng)霸 EUV技術(shù)成決勝關(guān)鍵
半導(dǎo)體代工企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)越演越烈，臺(tái)積電與三星電子也爭(zhēng)先恐后地加強(qiáng)開(kāi)發(fā)速度，EUV（極紫外線）技術(shù)將成為決勝關(guān)鍵。 據(jù)韓媒報(bào)道， 三星電子和臺(tái)積電接連購(gòu)買(mǎi)10臺(tái)以上的EUV設(shè)備。該設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)
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挑戰(zhàn)臺(tái)積電！三星今年將完成6納米量產(chǎn)
在7納米工藝的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電以EUV技術(shù)拔得頭籌。三星作為臺(tái)積電最大的對(duì)手，近來(lái)做法也是非常激進(jìn)：三星官方最近給出的時(shí)間表，6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn)，5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、
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EUV技術(shù)的首款7+納米芯片明年量產(chǎn)，臺(tái)積電將成全球首家
臺(tái)積電采用EUV技術(shù)的首款7+納米芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案，明年第二季后將可順利進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電將成為產(chǎn)全球首家采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的晶圓代工廠，5納米制程預(yù)計(jì)明年4月可開(kāi)始進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，將在2020年上半年進(jìn)入量產(chǎn)
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7納米EUV之前最NB技術(shù)!三星完成8 納米LPP制程技術(shù)驗(yàn)證
近日消息，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星官方正式宣布已完成了 8 納米 LPP 制程技術(shù)的驗(yàn)證，不久之后可量產(chǎn)。三星表示，相較 10 納米制程技術(shù)，新推出的 8 納米 LPP 制程技術(shù)可使芯片能效提升 10%，芯片面積降低 10%。三星表
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7、11納米LPP工藝齊上陣，三星能否搶回蘋(píng)果訂單
日前三星電子正式宣布，其將11nm FinFET制程技術(shù)(11nm LPP，Low Power Plus)提上研發(fā)日程，預(yù)計(jì)將于明年推出首款采用該工藝的芯片。
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EUV技術(shù)仍不成熟 Intel、三星7nm遇阻
雖然工藝狂魔臺(tái)積電口口聲聲7nm/5nm/3nm，但是一個(gè)現(xiàn)實(shí)問(wèn)題是，用于10nm以下芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)或者說(shuō)設(shè)備EUV(極紫外光刻)光刻機(jī)仍面臨不少商用難題。
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三星7nm工藝將采用EUV技術(shù)
三星電子在近日該公司與美國(guó)新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會(huì)議上公開(kāi)了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會(huì)議與第53屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(53rd Design Automation Conference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國(guó)奧斯汀舉行......
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無(wú)敵小璐璐
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