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扇出型晶圓級封裝（FOWLP）的可靠性挑戰(zhàn)，RDL重布線層到應(yīng)力遷移的仿真
半導(dǎo)體技術(shù)逼近物理極限，扇出型晶圓級封裝(FOWLP)憑借其高I/O密度、小型化潛力與系統(tǒng)級集成能力，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)。然而，隨著封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜度指數(shù)級增長，從重布線層(RDL)的可靠性到應(yīng)力遷移的仿真驗(yàn)證，F(xiàn)OWLP正面臨多重可靠性挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)不僅源于材料熱膨脹系數(shù)不匹配、工藝缺陷積累，更涉及多物理場耦合作用下的長期失效機(jī)制。
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集微連線：板級封裝潛力無窮，RDL工藝勇挑大梁
在本期集微連線“未來封裝趨勢與殺手級應(yīng)用市場——你所不知道的RDL整合技術(shù)大揭秘”中，廈門云天半導(dǎo)體科技有限公司董事長于大全、深圳中科四合科技有限公司CTO丁鯤鵬、Manz亞智科技股份有限公司技術(shù)處長李裕正圍繞扇出型板級封裝和RDL技術(shù)的技術(shù)發(fā)展，如何更全面地立即和掌握RDL解決方案進(jìn)行了全面的解讀和展望。
