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RAMXEED

我要報(bào)錯(cuò)

  • 全新一代FeRAM，堆疊技術(shù)與QSPI加持實(shí)現(xiàn)更高速更大容量體驗(yàn)

    FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）最為獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于它結(jié)合了非易失性和高速寫入性能，這種特性是其他存儲(chǔ)器無(wú)法同時(shí)具備的。與傳統(tǒng)的DRAM雖然都能實(shí)現(xiàn)高速讀寫，但后者在斷電后會(huì)丟失數(shù)據(jù)；而與Flash相比，盡管都具有非易失性，F(xiàn)lash的寫入速度卻遠(yuǎn)不及FeRAM。因此，F(xiàn)eRAM在能夠保存數(shù)據(jù)的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)幾乎瞬時(shí)的寫入操作，成為存儲(chǔ)技術(shù)中獨(dú)一無(wú)二的存在。