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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計
現(xiàn)今嵌入式存儲產(chǎn)品已滲透進人們生活工作中的方方面面，從ATM 機到手持通訊設(shè)備。社會對嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文
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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計
基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計
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海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash
南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機或平板計算機(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投
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力晶9月營收衰退至75.19億
DRAM大廠力晶自結(jié)9月營收新臺幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計前9月營收為675億元；力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月營收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報價回穩(wěn)，標(biāo)準型D
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NANDFlash價格瀕臨成本線靜待大廠減產(chǎn)
全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌9~10%，模塊廠表示，NANDFlash芯片價格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NA
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NAND Flash跌價深上游大廠開始對模塊廠讓步
NANDFlash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NANDFlash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NANDFlash陣營三星電子(SamsungElect
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NAND Flash市況兩極靜待8月底補貨潮
2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞(Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平
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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70BillionUSD)，較首季的93億美元(9.29BillionUSD)，
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閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用
閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用
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閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用
閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半
日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升；瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東
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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
三星電子(SamsungElectronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)中所儲存的影片、照片
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爾必達與Spansion簽署NANDFlash代工協(xié)議
日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NANDFlash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NANDFlash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NORFlash，并為其代工的可能性。據(jù)
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力晶聚焦NAND Flash挑戰(zhàn)20納米
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NANDFlash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場，3方人馬點燃臺灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產(chǎn)業(yè)
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制程轉(zhuǎn)進成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利
針對DRAM廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange指出，明年DRAM均價較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進、成本下降，DRAM廠營業(yè)利益率(OPMargin)成本優(yōu)勢最佳者，今年營業(yè)利益率平均為36%，明
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TIMC敗部復(fù)活投入閃存產(chǎn)業(yè)再造
臺灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以為(宣明智)白忙一場，不過經(jīng)濟部通過TIMC與茂德、翔淮先進光罩及晶豪科等公司合作，共同投入雙子星技術(shù)開發(fā)，讓TIMC敗部復(fù)活，TIMC表示，目前儲存型快閃記憶體
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三星砸錢瞄準東芝 臺DRAM廠喘口氣
三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場充滿殺敵言論的
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三星砸錢瞄準東芝 臺DRAM廠喘口氣
三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎荆沁@場充滿殺敵言論的
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南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線
才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(SamsungElectronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)
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擴大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置
為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(SamsungElectronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。據(jù)南韓MTNews報導(dǎo)，三星23日動工的京畿道華城半導(dǎo)體新
