NANDFLASH

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基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

現(xiàn)今嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會(huì)對(duì)嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來(lái)越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)前數(shù)據(jù)記錄儀的容量和速度普遍偏小。本文

測(cè)試測(cè)量
2010-11-08

Flash 高速數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)記錄儀 NANDFLASH
基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2010-11-05

Flash 高速數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù)記錄儀 NANDFLASH
海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，自2010年8月投

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2010-10-19

DRAM 海力士 NI NANDFLASH
力晶9月?tīng)I(yíng)收衰退至75.19億

DRAM大廠力晶自結(jié)9月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣75.19億元，較上月88.88億元減少15%，累計(jì)前9月?tīng)I(yíng)收為675億元；力晶發(fā)言人譚仲民表示，9月?tīng)I(yíng)收下滑主要是受到DRAM現(xiàn)貨價(jià)疲軟的影響，隨著12寸晶圓廠代工業(yè)務(wù)的需求和報(bào)價(jià)回穩(wěn)，標(biāo)準(zhǔn)型D

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2010-10-11

DRAM 制程技術(shù) GB NANDFLASH
NANDFlash價(jià)格瀕臨成本線靜待大廠減產(chǎn)

全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出下，9月下旬合約價(jià)續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價(jià)下跌5~6%，64Gb芯片大跌9~10%，模塊廠表示，NANDFlash芯片價(jià)格已跌到相當(dāng)接近各大廠成本線，若價(jià)格再跌，恐會(huì)讓NA

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2010-10-09

東芝 4G GB NANDFLASH
NAND Flash跌價(jià)深上游大廠開(kāi)始對(duì)模塊廠讓步

NANDFlash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NANDFlash大廠，在面對(duì)庫(kù)存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠開(kāi)始回補(bǔ)一些庫(kù)存，不過(guò)，全球兩大NANDFlash陣營(yíng)三星電子(SamsungElect

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2010-09-03

蘋(píng)果 NAND Flash NANDFLASH
NAND Flash市況兩極靜待8月底補(bǔ)貨潮

2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞(Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平

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2010-08-18

蘋(píng)果 NAND Flash NANDFLASH
第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70BillionUSD)，較首季的93億美元(9.29BillionUSD)，

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2010-08-11

DRAM 三星 NAND NANDFLASH
閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

嵌入式軟件
2010-08-11

BSP 嵌入式LINUX LINUX系統(tǒng) NANDFLASH
閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

嵌入式教程
2010-08-11

BSP 嵌入式LINUX LINUX系統(tǒng) NANDFLASH
日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂參半

日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升；瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。　　東

半導(dǎo)體
2010-08-03

半導(dǎo)體瑞薩電子系統(tǒng)芯片 NANDFLASH
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

三星電子(SamsungElectronics)宣布，2011年將開(kāi)始量產(chǎn)較既有快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年開(kāi)始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)中所儲(chǔ)存的影片、照片

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2010-07-27

三星 NAND Flash NANDFLASH
爾必達(dá)與Spansion簽署NANDFlash代工協(xié)議

日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NANDFlash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NANDFlash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NORFlash，并為其代工的可能性。據(jù)

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2010-07-26

半導(dǎo)體爾必達(dá) SPANSION NANDFLASH
力晶聚焦NAND Flash挑戰(zhàn)20納米

近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NANDFlash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NANDFlash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NANDFlash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NANDFlash產(chǎn)業(yè)

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2010-07-08

日立 NAND Flash NANDFLASH
制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

針對(duì)DRAM廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange指出，明年DRAM均價(jià)較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降，DRAM廠營(yíng)業(yè)利益率(OPMargin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%，明

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2010-07-07

DRAM 三星內(nèi)存 NANDFLASH
TIMC敗部復(fù)活投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC，在整合DRAM受挫后，各界一度以為(宣明智)白忙一場(chǎng)，不過(guò)經(jīng)濟(jì)部通過(guò)TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作，共同投入雙子星技術(shù)開(kāi)發(fā)，讓TIMC敗部復(fù)活，TIMC表示，目前儲(chǔ)存型快閃記憶體

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2010-07-01

DRAM 聯(lián)電 NANDFLASH
三星砸錢(qián)瞄準(zhǔn)東芝臺(tái)DRAM廠喘口氣

三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計(jì)劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺(tái)系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒(méi)打仗就先輸了一半，不過(guò)，近期存儲(chǔ)器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎荆沁@場(chǎng)充滿殺敵言論的

智能硬件
2010-06-10

DRAM 三星東芝 NANDFLASH
三星砸錢(qián)瞄準(zhǔn)東芝臺(tái)DRAM廠喘口氣

三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計(jì)劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺(tái)系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒(méi)打仗就先輸了一半，不過(guò)，近期存儲(chǔ)器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場(chǎng)充滿殺敵言論的

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2010-06-07

DRAM 三星東芝 NANDFLASH
南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線

才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(SamsungElectronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)

半導(dǎo)體
2010-05-30

三星 PC FAB NANDFLASH
擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(SamsungElectronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)體系。據(jù)南韓MTNews報(bào)導(dǎo)，三星23日動(dòng)工的京畿道華城半導(dǎo)體新

半導(dǎo)體
2010-05-30

半導(dǎo)體 DRAM 三星 NANDFLASH

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NANDFLASH

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

基于Flash的大容量高速數(shù)據(jù)記錄儀設(shè)計(jì)

海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

力晶9月?tīng)I(yíng)收衰退至75.19億

NANDFlash價(jià)格瀕臨成本線靜待大廠減產(chǎn)

NAND Flash跌價(jià)深上游大廠開(kāi)始對(duì)模塊廠讓步

NAND Flash市況兩極靜待8月底補(bǔ)貨潮

第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

閃存在嵌入式Linux系統(tǒng)中的應(yīng)用

日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂參半

三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

爾必達(dá)與Spansion簽署NANDFlash代工協(xié)議

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制程轉(zhuǎn)進(jìn)成本下降DRAM業(yè)明年可持續(xù)獲利

TIMC敗部復(fù)活投入閃存產(chǎn)業(yè)再造

三星砸錢(qián)瞄準(zhǔn)東芝臺(tái)DRAM廠喘口氣

三星砸錢(qián)瞄準(zhǔn)東芝臺(tái)DRAM廠喘口氣

南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線

擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

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