IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),通過(guò)控制MOSFET的柵電壓來(lái)控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關(guān)任務(wù),具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差異。
光伏逆變器,其英文為PV inverter,是能夠?qū)⒐夥?yáng)能板鎖產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換成為市電頻率交流的逆變器,可以反饋回商用輸電系統(tǒng),或是供離網(wǎng)的電網(wǎng)使用。光伏逆變器是光伏陣列系統(tǒng)中重要的系