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非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動(dòng)GaNFET？
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。
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利用集成型GaN FET實(shí)現(xiàn)效率和功率密度更大化
11月10日，TI正式宣布推出面向面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的下一代650V和600V氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），與此同時(shí)并對(duì)TI的GaN FET技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的剖析。
