業(yè)內(nèi)消息,近日日本官方表示計劃擴(kuò)大對與半導(dǎo)體或量子計算相關(guān)的四項技術(shù)的出口限制,這是全球管制戰(zhàn)略技術(shù)出口的最新舉措。該限制措施向所有國家/地區(qū)(包括最受惠的貿(mào)易伙伴韓國、新加坡和中國臺灣)的此類貨物將需要出口管制官員的批準(zhǔn)。
11月22日消息,據(jù)外媒報導(dǎo),韓國三星雖然搶先臺積電量產(chǎn)了3nm GAA(Gate-all-around,環(huán)繞柵極)芯片,但不代表進(jìn)展順利。最新的爆料稱,三星3nm GAA制程的良率非常糟,僅為20%,為了解決這困境,三星計劃通過與美國公司合作提高良率。
據(jù)悉,從兩個月前宣布在華城工廠已經(jīng)大規(guī)模開始量產(chǎn)使用GAA(Gate-All-AroundT)全環(huán)繞柵極制程工藝的3nm芯片,到目前這批GAA架構(gòu)的3nm代工產(chǎn)品已經(jīng)發(fā)貨,對過去長達(dá)幾年的在和臺積電競爭過程中陷入困局的三星來說,這次提前發(fā)布3nm芯片并出貨一定程度上給予客戶和自己一些信心,同時,據(jù)悉三星會基于GAA架構(gòu)趁熱打鐵,快速推出4nm芯片競爭臺積電,將此次速度優(yōu)勢發(fā)揮到最大。
6月20日消息,據(jù)BusinessKorea報道,三星電子正計劃通過在未來三年內(nèi)打造3納米GAA(Gate-all-around)工藝來追趕世界第一大代工公司——臺積電。
其中臺積電表示,他們將會在2022年量產(chǎn)3nm工藝,不過,他們?nèi)詴x擇FinFET晶體管技術(shù),而三星則已經(jīng)選擇GAA技術(shù),并且還成功流片,這也意味著他們離量產(chǎn)又近了一步。
蘋果9月推出 A14 仿生芯片,接著華為麒麟 9000 系列芯片也將隨Mate40 系列手機(jī)一起推出,而高通新一代驍龍 875也將在12月初發(fā)布,相同的是芯片都將是采用5nm 工藝,同時也意味著半導(dǎo)體工藝 5nm 的時代正在全面到來。
根據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,近日臺積電在2nm研發(fā)上取得重大突破,目前已找到路徑,將切入全環(huán)柵場效應(yīng)晶體管GAA,這是臺積電繼從鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET技術(shù)取得全球領(lǐng)先地位之后,向另一全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)
7月13日消息,據(jù)臺灣媒體報道,臺積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA)技術(shù)。 臺積電 臺媒稱,三星已決定在3n
據(jù)報道,臺積電在 2nm 研發(fā)有重大突破,并且已成功找到路徑,臺積電2nm預(yù)計將在2023至2024推出,該技術(shù)為切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gate-all-around,簡稱 GAA技術(shù))。盡管5nm剛實現(xiàn)量產(chǎn)不久,臺積電和三星就開始瞄準(zhǔn)更先進(jìn)的制程。
由于眾所周知的原因,美國正在收緊高科技的出口,日前美國政府制定了一份新的高科技出口禁令,包括量子計算機(jī)、3D打印及GAA晶體管技術(shù)等在內(nèi),這其中GAA晶體管技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的新一代技術(shù)關(guān)鍵。 大家都知
盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。 三星在10n
本月4日起,日本宣布管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料,此舉使得韓國面板、半導(dǎo)體兩大支柱行業(yè)面臨危機(jī),三星等公司更是急于獲得穩(wěn)定的原料來源,否則旗下的存儲芯片、面板生產(chǎn)都會停產(chǎn)