“2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢,而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道?!?月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John
基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ)
在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場庫存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一
在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場庫存回補(bǔ)需求的雙重幫助下,第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ,整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季
中穎電子于2009年7月8日和7月15日分別在杭州的浙江賓館和北京的麗亭華苑酒店舉行了中穎電子8 Bit Flash MCU產(chǎn)品發(fā)布會(huì),并取得了圓滿的成功。此次發(fā)布會(huì)共邀請(qǐng)了消費(fèi)電子、小家電、大家電、工業(yè)控制、儀器儀表、醫(yī)療
7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中,仍是穩(wěn)住陣腳,除了32Gb和64Gb容量的芯片,小幅下跌1~3%外,其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示,三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多,因此即使市場的買氣平平,NAND Fla
隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品,應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程,不但制程技術(shù)領(lǐng)先,近期英特爾和美光在價(jià)格策略上,更是上演絕地大反攻計(jì)畫
華亞科總經(jīng)理于9日發(fā)表對(duì)臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合的建言,9日更傳出臺(tái)塑集團(tuán)搶在TMC前面,向“經(jīng)濟(jì)部”和國發(fā)基金送出DRAM整合企畫書;惟對(duì)此南亞科和華亞科表示,在幾天前的確以南亞科的名義,向工業(yè)局送出研發(fā)補(bǔ)助草案,非
存儲(chǔ)器業(yè)者表示,三星電子(Samsung Electronics)2009年力守獲利的原則持續(xù)不變,近期NAND Flash價(jià)格維持平穩(wěn),同樣是受惠三星價(jià)格極力穩(wěn)定價(jià)格,減少放貨所致,因此即使近期NAND Flash終端需求普普,但16Gb容量MLC型
三星破天荒公布第二季獲利預(yù)估,優(yōu)于市場預(yù)期,業(yè)界認(rèn)為作多意味濃厚,三星主要業(yè)務(wù)涵蓋面板、手機(jī)、半導(dǎo)體晶片等三大領(lǐng)域,以現(xiàn)況來看,面板需求暢旺無虞,但半導(dǎo)體芯片,尤其是DRAM與NAND Flash兩大存儲(chǔ)領(lǐng)域,則仍
存儲(chǔ)器業(yè)者表示,三星電子(Samsung Electronics)2009年力守獲利的原則持續(xù)不變,近期NAND Flash價(jià)格維持平穩(wěn),同樣是受惠三星價(jià)格極力穩(wěn)定價(jià)格,減少放貨所致,因此即使近期NAND Flash終端需求普普,但16Gb容量MLC型
三星電子(Samsung Electronic) 和恒億 (Numonyx)宣布要合作開發(fā)相變化存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù),使得次世代存儲(chǔ)器技術(shù)的競爭逐漸浮出臺(tái)面。雖然目前NAND Flash和NOR Flash技術(shù)廣泛使用在消費(fèi)性電子產(chǎn)品上,但存儲(chǔ)器大廠積極在
全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱,盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心,然存儲(chǔ)器業(yè)者透露,由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈,推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備,近期更需關(guān)注的是,