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鐵電存儲器（FeRAM）的嵌入式系統(tǒng)集成方案
嵌入式系統(tǒng)對非易失性存儲需求日益增長下，鐵電存儲器(FeRAM)憑借其納秒級讀寫速度、超101?次寫入耐久性及低功耗特性，成為替代傳統(tǒng)EEPROM和NOR Flash的關鍵技術。其集成方案需從架構設計、接口適配到功耗管理進行系統(tǒng)性優(yōu)化，以釋放FeRAM在工業(yè)控制、汽車電子與物聯(lián)網領域的性能潛力。
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全新一代FeRAM，堆疊技術與QSPI加持實現更高速更大容量體驗
FeRAM（鐵電隨機存取存儲器）最為獨特的優(yōu)勢在于它結合了非易失性和高速寫入性能，這種特性是其他存儲器無法同時具備的。與傳統(tǒng)的DRAM雖然都能實現高速讀寫，但后者在斷電后會丟失數據；而與Flash相比，盡管都具有非易失性，Flash的寫入速度卻遠不及FeRAM。因此，FeRAM在能夠保存數據的同時，還能實現幾乎瞬時的寫入操作，成為存儲技術中獨一無二的存在。
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瞄準智能制造、新能源汽車等新興關鍵數據存儲需求，FeRAM以獨特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場
存儲器是現代信息系統(tǒng)最關鍵的組件之一，在當前物聯(lián)網與人工智能聯(lián)合推動下的數據爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導體增速最快的細分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細分市場中，以FeRAM(鐵電存儲)和ReRAM(電阻式存儲)為代表的新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元，年復合增長率達到42%，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
