半導體技術(shù)逼近物理極限,扇出型晶圓級封裝(FOWLP)憑借其高I/O密度、小型化潛力與系統(tǒng)級集成能力,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)。然而,隨著封裝結(jié)構(gòu)復雜度指數(shù)級增長,從重布線層(RDL)的可靠性到應(yīng)力遷移的仿真驗證,F(xiàn)OWLP正面臨多重可靠性挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)不僅源于材料熱膨脹系數(shù)不匹配、工藝缺陷積累,更涉及多物理場耦合作用下的長期失效機制。
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