日本讀賣新聞9日報導,日本記憶體大廠爾必達(Elpida)與臺灣兩家晶片制造商力晶科技和茂德科技,已進入結盟的最后階段談判,可望達成全面性的業(yè)務整合協議。力晶表示,目前并未針對結盟進行接觸;茂德則不愿評論。日
2010年半導體市況呈現「先高后低」的走勢,然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢,并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想,
封測三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)結算12月營收亮麗,其中日月光、力成更是在淡月中刷新猷,矽品也逆勢月增3.4%,三雄去年第四季淡季不淡,搭配昨晚美國半導體指數大漲利多,激勵今日封測三雄早盤股價有
臺系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現大轉變,力晶正式與瑞晶和爾必達(Elpida)協商成功,開始恢復向瑞晶拿貨,且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主,之前欠瑞晶的債款未來也會分期償還,借此行動
李洵穎/臺北 2大封測廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營收,皆創(chuàng)歷史新高紀錄。日月光單月集團營收在房地產銷售收入挹注下,實績月增率達16%,惟封測業(yè)務營收則與上月相當;力成則以0.12%些微差距刷新單月歷
DRAM市場“又”開始走下坡;在上一次的下坡路段,臺灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活,但這一次恐怕沒有那么幸運。其中南亞科(Nanya Technology)因為有個“富爸爸”,盡管仍然持續(xù)虧損,應該能存活;力晶
三星電子今天宣布,已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內存條的開發(fā),并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 時至今日,DDR4內存的標準規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2
三星電子星期二稱,它已經開發(fā)出了一種新的計算機內存模塊,讀寫數據的速度是上一代內存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱,它將在2012年開始使用30納米級的技術生產這種新的DDR4 DRAM內存模塊。目前DRAM內存行業(yè)的主流
DRAM市場“又”開始走下坡;在上一次的下坡路段,臺灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活,但這一次恐怕沒有那么幸運。其中南亞科(NanyaTechnology)因為有個“富爸爸”,盡管仍然持續(xù)虧損,應該能存活;力晶半導體(PowerchipSemic
2010年半導體市況呈現「先高后低」的走勢,然2011年將會回到上低下高趨勢。主要DRAM記憶體產品DDR3平均固定交易價格2010年上半至年中為止維持上升走勢,并于5月達到頂點2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想,
海力士緊跟三星電子之后,將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布,已開發(fā)出2款計算機用DRAM產品,將首度采用30納米級制程量產。據海力士表示,計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品,2011年第1季
2010年DRAM產業(yè)虎頭蛇尾,年初報價大漲至1顆DDR3報價達3美元,但年底卻跌到1美元;但以獲利來看,2010年只有力晶和瑞晶有賺錢,南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢,南亞科和華亞科是因為制程轉換之故,沒有掌握到年初
臺北DDR3報價從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元,跌幅高達70%,力晶更在2010年底因欠款導致子公司瑞晶停止出貨,透露臺DRAM廠財務已處于極度吃緊狀態(tài),記憶體業(yè)者表示,由于1月DRAM合約價和現貨價還有下跌空
臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值,采取匯市收盤價力守30元的作法,外界開始出現匯價失真的爭議,但彭淮南這次直接挑明表示,臺灣和韓國在科技產業(yè)的產品雷同度高,匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與
瑞晶31日公告,由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付,因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示,由于DRAM價格不佳,在財務上規(guī)畫保守,目前正與爾必達(Elpida)和瑞晶3方協商當中;瑞晶則表示,將與力晶協議針對保障
瑞晶31日公告,由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付,因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示,由于DRAM價格不佳,在財務上規(guī)畫保守,目前正與爾必達(Elpida)和瑞晶3方協商當中;瑞晶則表示,將與力晶協議針對保障瑞
臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值,采取匯市收盤價力守30元的作法,外界開始出現匯價失真的爭議,但彭淮南這次直接挑明表示,臺灣和韓國在科技產業(yè)的產品雷同度高,匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與
鄭茜文/臺北 全球半導體業(yè)2011年設備投資持續(xù)在高檔水位,引發(fā)市場憂慮未來恐出現供過于求的現象,半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)企業(yè)副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸指出,由于新應用包括平板電腦、智慧型手
李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進封裝技術的發(fā)展,以往DDR DRAM及利基型SDRAM產品,其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP),自DDR2產品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA),延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
李洵穎/臺北 隨著DRAM廠轉換制程,產出增加,記憶體封測廠如力成科技、華東科技和福懋科技等2010年12月營收仍可望持穩(wěn)或小幅增加,處于高檔水準。惟2011年第1季受到客戶如爾必達(Elpida)減產效應沖擊,下單力道減弱