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DDR2內(nèi)存采用了哪些技術(shù)?DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存有什么區(qū)別?
為增進(jìn)大家對內(nèi)存的認(rèn)識，本文將對DDR2內(nèi)存采用的技術(shù)以及DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存的區(qū)別予以介紹。
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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手
差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對CK#（CKN）的作用認(rèn)識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時鐘校準(zhǔn)的作用。
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DDR 測試系列之二—— WaveScan 技術(shù)分離 DDR2 的讀寫周期
測量DDR2存儲設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領(lǐng)
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基于千兆網(wǎng)的FPGA多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)
FPGA豐富的邏輯資源、充沛的I/O引腳以及較低的功耗，被廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)和高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域。現(xiàn)如今，各大FPGA生產(chǎn)廠商為方便用戶的設(shè)計(jì)和使用，提供了較多的、可利用的IP核資源，極大地減少了產(chǎn)品的開發(fā)周期和
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基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真
現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電路的復(fù)雜度、元器件布局以及布線密度、開關(guān)速度、時鐘和總線頻率等各項(xiàng)指標(biāo)參數(shù)都呈快速上升趨勢。當(dāng)上升時間超過傳輸延時的1/
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。DDR2
小軒窗
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