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20nm最強制程三星造出8Gb相變內存顆粒

來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內存顆粒，采用移動設備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。新的內存顆粒最大的亮點是采用

消費電子
2011-12-01

三星內存 GB DDR
力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉入30nm4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NANDFLASH填補，后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉移到NAND2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶

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2011-11-17

DRAM Flash NAND DDR
臺灣茂德董事長陳民良表示將放棄DRAM轉而生產(chǎn)SDRAM、Mobile RAM等

茂德26日臨時股東會通過3大重要議案，包括減資、債轉股的增資和策略伙伴的私募案后，新的財務平臺正式誕生，但以長遠經(jīng)營來看，茂德即使過了財務重擔這一關，那長遠經(jīng)營的核心業(yè)務在何方？董事長陳民良表示，利基型內

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2011-08-30

SDRAM MOBILE DRIVER DDR
采用DDR接口東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

日本東芝公司正大推出了新系列24nmeMMC閃存芯片。新的NAND閃存芯片主要面向的是嵌入式應用，由于使用了雙數(shù)據(jù)接口，因此將可以帶來更加出色的隨機存取和連續(xù)數(shù)據(jù)存取性能。由于使用的是全新的24nm工藝，因此新芯片體

智能硬件
2011-08-11

東芝接口 EMMC DDR
凱悌集團推出機機頂盒主被動解決方案

Alcor Micro 安國國際提供機上盒 STB 設備 USB Device方案：針對目前市售之機上盒STB設備使用的USB功能有：1、使用隨身碟或記憶卡做影音檔案的儲存或撥放，2、機上盒設備之韌體更新，安國提供自家的解決方案 (USB HU

消費電子
2011-08-03

HZ SERIES DISCHARGE DDR
高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設計

摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)

工業(yè)控制
2011-07-22

接口的設計圖像處理系統(tǒng) SDRAM DDR
惠瑞捷V93000 HSM GDDR5解決方案獲南韓大型客戶青睞

張琳一半導體測試公司惠瑞捷(Verigy)日前宣布其V93000高速記憶體(HSM)平臺已贏得龐大且領先市場的南韓客戶之新款GDDR5量產(chǎn)測試業(yè)務。惠瑞捷V93000 HSM6800是一款為當今運行速度超過每接腳4 Gbps GDDR5超快圖像

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2011-07-04

自動測試設備 CRC GBPS DDR
力成科技布局先進封裝技術　新廠2012年第3季裝機投產(chǎn)

力成科技積極自內存封測業(yè)務往先進封裝技術布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發(fā)新技術為主，包括晶

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2011-07-04

晶圓封裝技術內存 DDR
臺積建構28納米設計系統(tǒng)

臺積電昨（26）日宣布，已順利在開放創(chuàng)新平臺，建構完成28納米設計生態(tài)環(huán)境，同時客戶采用臺積開放創(chuàng)新平臺所規(guī)劃的28納米新產(chǎn)品設計定案（tape out）數(shù)量已達到89個。臺積電也將在美國加州圣地牙哥舉行的年度設

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2011-05-27

臺積電 DAC PD DDR
臺積電完成28納米設計生態(tài)環(huán)境將于DAC發(fā)表

臺積電（2330）今日宣布已順利在開放創(chuàng)新平臺上，建構完成28納米設計生態(tài)環(huán)境，同時客戶采用臺積電開放創(chuàng)新平臺所規(guī)劃的28納米完成新產(chǎn)品設計（tape out）數(shù)量已達到89個。臺積電表示，將于美國加州圣地牙哥舉行

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2011-05-27

臺積電 DAC PD DDR
基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

嵌入式軟件
2011-05-22

嵌入式接口設計 NAND閃存 DDR
基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

嵌入式教程
2011-05-22

嵌入式接口設計 NAND閃存 DDR
DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析，研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則

測試測量
2011-05-11

高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) SDRAM BSP DDR
加州大學學者宣稱發(fā)現(xiàn)氮化物LED光效下降主因

據(jù)報道，加州大學圣巴巴拉分校的研究院稱他們找到了普通照明使用LED技術效率低下的根本原因。他們的發(fā)現(xiàn)有助于工程師們開發(fā)新一代的高性能，高效能照明解決方案，從而替代現(xiàn)有的白熾燈及熒光燈。他們深入研究在長時間

顯示光電
2011-05-08

LED 光子量子 DDR
DDR測試技術與工具

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產(chǎn)品的主流存儲器技術，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一，例如韓國

測試測量
2011-04-20

測試技術時序 BSP DDR
DDR測試技術與工具

DDR測試技術與工具

嵌入式軟件
2011-04-18

測試技術時序 BSP DDR
泰克TLA6000系列邏輯分析儀推出新選件

21IC訊泰克公司日前宣布，推出完整的 DDR2 協(xié)議調試和驗證解決方案，基于屢獲獎項的 TLA6000 系列邏輯分析儀。TLA6000 系列新選件包含了嵌入式工程師——即使并非DDR2專家——用來驗證和調試設

測試測量
2011-04-15

泰克邏輯分析儀 MDASH DDR
AT&T轉向支持第三方Android應用商店

AT&T對非Android Market應用商店的立場開始趨于緩和，計劃支持亞馬遜應用商店以及其他第三方Android應用商店。AT&T在一份聲明中表示：“我們計劃在Android智能手機上推出亞馬遜應用商店，并將努力為所有Android

通信技術
2011-04-11

Android 亞馬遜 MARKET DDR
華碩蘭博基尼VX7本

自2006年華碩攜手蘭博基尼推出VX系列跑車本以來，其旗下每款產(chǎn)品的上市，都會引起市場的轟動效應，近日華碩又推出一款黑、橙雙色的蘭博基尼VX7筆記本。相比之前VX系列慣用的黃、黑色系，此次VX7首度使用充滿生動光澤

消費電子
2011-04-06

華碩硬盤 RAM DDR
DDR測試技術和工具是否跟上了時代步伐？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務器產(chǎn)品的主流存儲器技術，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應用領域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一，例如韓國

測試測量
2011-04-02

測試技術時序 DDR3 DDR

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DDR

20nm最強制程三星造出8Gb相變內存顆粒

力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

臺灣茂德董事長陳民良表示將放棄DRAM轉而生產(chǎn)SDRAM、Mobile RAM等

采用DDR接口東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

凱悌集團推出機機頂盒主被動解決方案

高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設計

惠瑞捷V93000 HSM GDDR5解決方案獲南韓大型客戶青睞

力成科技布局先進封裝技術　新廠2012年第3季裝機投產(chǎn)

臺積建構28納米設計系統(tǒng)

臺積電完成28納米設計生態(tài)環(huán)境將于DAC發(fā)表

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計

DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應用

加州大學學者宣稱發(fā)現(xiàn)氮化物LED光效下降主因

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