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DC-DC功率轉(zhuǎn)換

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  • 英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹(shù)立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺(tái)DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

    【2025年5月16日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對(duì)板級(jí)電源的要求也越來(lái)越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對(duì)于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺(tái)的 IBC級(jí)。應(yīng)用測(cè)試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當(dāng)于每kW負(fù)載節(jié)省約4.3 W。如果能擴(kuò)展到系統(tǒng)層面，如服務(wù)器機(jī)架或整個(gè)數(shù)據(jù)中心，則將帶來(lái)顯著的節(jié)能效果。

  • 英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25-150V OptiMOS?源極底置功率MOSFET

    【2023年01月13日，德國(guó)慕尼黑訊】未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150 V，并且有底部散熱(BSC)和雙面散熱(DSC)兩種不同的結(jié)構(gòu)。該新產(chǎn)品系列在半導(dǎo)體器件級(jí)層面做出了重要的性能改進(jìn)，為DC-DC功率轉(zhuǎn)換提供了極具吸引力的解決方案，同時(shí)也為服務(wù)器、通信、OR-ing、電池保護(hù)、電動(dòng)工具以及充電器應(yīng)用的系統(tǒng)創(chuàng)新開(kāi)辟了新的可能性。