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使用雙向 GaN 開關實現單級功率轉換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術，代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新，特別是在實現單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器，與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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英飛凌實現GaN技術突破——單片高壓CoolGaN BDS大幅簡化雙向開關設計GaN
受到低碳可持續(xù)發(fā)展和AI兩大需求方向推動，全球功率半導體市場正在飛速增長，預計到2026年將達到262億美元市場規(guī)模。傳統(tǒng)的硅基設備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術產品所取代。氮化鎵（GaN）預計會快速增長，目前主要應用在消費電子領域，但將逐步進入工業(yè)和汽車領域。碳化硅（SiC）則將繼續(xù)在高功率汽車和工業(yè)應用中保持增長并擴大滲透率。具體市場估值方面，到2026年，GaN HEMTs（高電子遷移率晶體管），包括分立器件和集成器件，市場規(guī)模約為10億美元；SiC MOSFETs和二極管，包括分立器件和模塊，市場規(guī)模約為30億美元。
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新型電源解決方案CoolGaN解析
電子器件向著小型化方向發(fā)展，GaN解決方案提供的高功率密度使器件尺寸變得更小，從而簡化了設計過程中的布局并減少了損耗。寬帶隙甚至可以在高溫下運行。 GaN器件還可以以比其硅等效器件更高的頻率工作，移動速度最高可快10倍。
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新的電源轉換標桿：英飛凌CoolGaN可圈可點
未來十年，基于氮化鎵的器件市場總值有望超過10億美元，從市場的分布來說，電源類產品大概占到整個市場的40%左右。在汽車類的應用可能起步得比較晚，但是它的成長非常快，未來汽車關于氮化鎵的應用是一個非常大的應用。
