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原子層沉積（ALD）在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用，超薄介質(zhì)層與3D互連的臺(tái)階覆蓋控制
先進(jìn)封裝技術(shù)向納米尺度演進(jìn)的進(jìn)程，原子層沉積(ALD)憑借其原子級(jí)厚度控制與卓越的共形覆蓋能力，成為突破物理極限的核心技術(shù)。從超薄介質(zhì)層的精密構(gòu)筑到3D互連結(jié)構(gòu)的臺(tái)階覆蓋優(yōu)化，ALD技術(shù)正在重塑半導(dǎo)體封裝的工藝范式，為芯片性能與可靠性的雙重提升提供解決方案。
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設(shè)備業(yè)繁榮期沖進(jìn)世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？
憑借過去兩年大兩位數(shù)的增長(zhǎng)，ASM在2019年沖進(jìn)全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商之列。ASM在中國市場(chǎng)的表現(xiàn)更可稱為“炸裂”，據(jù)ASM中國區(qū)總經(jīng)理徐來表示，ASM中國區(qū)銷售額2018年比2017年增長(zhǎng)了3倍，2019年與2020年還延續(xù)高增長(zhǎng)，其中2019年銷售額比2017年增長(zhǎng)了4倍。過去幾年，包括中國在內(nèi)的全球晶圓產(chǎn)能擴(kuò)充及新工藝的投入，讓半導(dǎo)體設(shè)備廠商迎來繁榮期，各家財(cái)報(bào)都非常好看，其中ASM的表現(xiàn)就異常出色，憑借過去兩年大兩位數(shù)的增長(zhǎng)，在2019年沖進(jìn)全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商之列。ASM在中國市場(chǎng)的表現(xiàn)更可稱為“炸裂”，據(jù)ASM中國區(qū)總經(jīng)理徐來表示，ASM中國區(qū)銷售額2018年比2017年增長(zhǎng)了3倍，2019年與2020年還延續(xù)高增長(zhǎng)，其中2019年銷售額比2017年增長(zhǎng)了4倍。
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立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時(shí)代新維度
日前，以“凝聚芯合力，發(fā)展芯設(shè)備”為主題的第十屆（2022）中國半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)（CSEAC）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長(zhǎng)、中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)葉甜春在致辭中強(qiáng)調(diào)，中國集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實(shí)需要進(jìn)入新的階段。這帶來的變化就是從被動(dòng)到主動(dòng)的變化。如今，既然我們有自己的體系，就需要從系統(tǒng)應(yīng)用、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備、裁量、零部件形成內(nèi)循環(huán)，然后對(duì)接國際資源構(gòu)建國內(nèi)國際雙循環(huán)，最終主動(dòng)打造一個(gè)以我為主的全球化的新生態(tài)。
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40年ALD積淀助力超越摩爾，思銳智能完成第一階段發(fā)展布局
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。
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應(yīng)對(duì)“更高”存儲(chǔ)器件的ALD填充技術(shù)
——深入解析泛林集團(tuán)Striker ICEFill電介質(zhì)填充技術(shù)
