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“聯(lián)合創(chuàng)新”模式助力中國集成電路工藝創(chuàng)新與演進
在中國全面實現(xiàn)工業(yè)化的今天，幾乎所有人都將目光集中在飛機發(fā)動機、集成電路、生物工程等重點行業(yè)。這其中，集成電路行業(yè)發(fā)展尤為引人注目。工信部在解讀《中國制造2025》時稱，“集成電路是工業(yè)的‘糧食
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會在未來幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會面臨一系列挑戰(zhàn)。在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，英特爾的高級技術專家，工藝架構和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點的
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會在未來幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會面臨一系列挑戰(zhàn)。在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，英特爾的高級技術專家，工藝架構和集成總監(jiān)MarkBohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點的
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中芯國際攻關3D集成電路工藝
作為國內最大、最先進的半導體制造商，中芯國際(SMIC)已經成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點攻關硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術。為了進一步提升晶體管集成度
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中芯國際攻關3D集成電路工藝
作為國內最大、最先進的半導體制造商，中芯國際(SMIC)已經成立了新的“視覺、傳感器與3D集成電路”(CVS3D)研發(fā)中心，集中力量重點攻關硅傳感器、TSV硅通孔和其它中端晶圓處理(MEWP)技術。為了進一步提升晶
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中科院集成電路工藝研發(fā)取得進展 但科研和生產脫節(jié)問題依舊
據(jù)新華社消息，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心最近在22納米技術代集成電路關鍵技術研發(fā)上取得突破性進展。消息稱該中心的研究人員摒棄了傳統(tǒng)的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金屬柵等新材料
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聯(lián)華電子計劃收購大陸和艦科技
據(jù)華爾街日報報道，聯(lián)華電子將在4月初召開的董事會上修改該公司將其在中國大陸和艦科技持股比例由15%提高至100%計劃的條款。該報稱，依據(jù)修改后的計劃條款，聯(lián)華電子將以現(xiàn)金加庫存股的方式收購和艦科技的上述股權;而
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TSMC推出高整合度LED驅動集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驅動集成電路工藝
TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源
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TSMC推出高整合度LED驅動集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驅動集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LE
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會在未來幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會面臨一系列挑戰(zhàn)。 在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，英特爾的高級技術專家，工藝架構和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
芯片尺寸將會在未來幾年持續(xù)減小，但芯片制造商會面臨一系列挑戰(zhàn)。在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，英特爾的高級技術專家，工藝架構和集成總監(jiān)Mark Bohr指出了挑戰(zhàn)和有潛力的挑戰(zhàn)方案，Bohr列出了32nm和之下工藝節(jié)點
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英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
英特爾列出集成電路工藝節(jié)點縮小的五個挑戰(zhàn)
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元器件知識大全：模擬集成電路幾種特性
模擬集成電路是在分立元件的模擬電路理論和數(shù)字集成電路工藝的基礎上發(fā)展起來的。 在電路構成方面，模擬集成電路具有以下持點： (1)電路結構與元件參數(shù)具有對稱性盡管集成電路工藝制作的元件、器件的參數(shù)精度不高，
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