SK Hynix增投1000萬(wàn)美元，在中國(guó)無(wú)錫擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)

日前韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)SK Hynix還將增加1000萬(wàn)美元投資，在中國(guó)無(wú)錫擴(kuò)大模擬IC芯片業(yè)務(wù)。

嵌入式設(shè)計(jì)中將FRAM用作閃存的替代方案

Altera與臺(tái)積宣布在55納米嵌入式閃存工藝技術(shù)領(lǐng)域合作

宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

臺(tái)積電發(fā)布0.18微米車(chē)用嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)

全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬(wàn)次擦寫(xiě)！

三星電子推出首款45nm嵌入式閃存工藝

Spansion嵌入式閃存為手機(jī)提供全新安全防護(hù)

XFAB 0.18um高壓工藝支持嵌入式閃存方案

MLCC電容漲價(jià)跟顯卡有何關(guān)系？索泰：一張卡就用了2000顆

MLCC電容漲價(jià)跟顯卡玩家有關(guān)系嗎?雖然它對(duì)顯卡價(jià)格影響并不嚴(yán)重，但顯卡也會(huì)使用大量MLCC電容，索泰RTX 2080 PGF OC12顯卡上就使用了2000多顆MLCC電容。

SK海力士4D NAND閃存正式量產(chǎn)：96層堆棧、速度提升30%

隨著64層堆棧3DNAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn)，全球6大NAND閃存廠商今年都開(kāi)始轉(zhuǎn)向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術(shù)方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個(gè)4D NAND閃存

閃存價(jià)格Q4將出現(xiàn)兩位數(shù)下滑：白牌240G SSD僅25美元

由于需求增幅趕不上供應(yīng)量的加碼，NAND Flash閃存協(xié)議在今年第四季度將出現(xiàn)兩位數(shù)的下滑，專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange（集邦科技）在最新分析報(bào)告中這樣表示。集邦稱(chēng)，剛過(guò)去的10月，3D

采用DDR接口 東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

工業(yè)4.0時(shí)代，閃存會(huì)如何演進(jìn)？

雖然有其它不同新興的非揮發(fā)內(nèi)存技術(shù)仍然正在發(fā)展，現(xiàn)今發(fā)展已久的閃存技術(shù)已被證實(shí)為最適合面臨這些挑戰(zhàn)。這篇文章將說(shuō)明目前閃存的創(chuàng)新技術(shù)如何幫助系統(tǒng)研發(fā)人員利用新的設(shè)計(jì)已符合工業(yè)4.0的應(yīng)用。

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領(lǐng)域通力合作

日前，業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷(xiāo)商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過(guò)Digi-Key實(shí)現(xiàn)全球即時(shí)發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價(jià)格上更貼近客戶(hù)需求。

NAND閃存和SSD好日子到頭了！2019年還要再跌50%

2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了—;—;DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并

嵌入式閃存使“智能”汽車(chē)接口應(yīng)用得以實(shí)現(xiàn)

SanDisk推嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器

利用基于閃存的MCU實(shí)現(xiàn)用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

基于WISHBONE總線的FLASH閃存接口設(shè)計(jì)