基于鐵電存儲(chǔ)器FM25640在電表數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的應(yīng)用

0 引言 在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天，電能表中存儲(chǔ)器的選擇也是多種多樣，存儲(chǔ)器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測(cè)量精度。目前應(yīng)用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp （SRC）稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。耶魯大學(xué)和SRC的研究

串行FRAM FM25H20原理及其應(yīng)用

介紹非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25H20的性能特點(diǎn)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理；給出單片機(jī)與FM25H20的寫操作接口電路圖，以及FM25I-t20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬度用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)時(shí)使用FM25H20的方法．從而實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)的擴(kuò)展。

鐵電存儲(chǔ)器FM3116在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用

在單片機(jī)應(yīng)用和智能儀器中，存儲(chǔ)器已成為不可或缺的一部分，包括系統(tǒng)工作時(shí)存儲(chǔ)臨時(shí)性數(shù)據(jù)的RAM，以及永久性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器。RAM簡(jiǎn)單易用，存儲(chǔ)速度快，但掉電數(shù)據(jù)易丟失；而非易失性存儲(chǔ)器盡管能夠長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，但存儲(chǔ)速度慢，寫入功耗高，而且讀寫次數(shù)受限。采用鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)可解決上述問題。這種存儲(chǔ)器的核心是鐵電晶體材料具有RAM快速讀寫的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)也具有非易失性存儲(chǔ)器永久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的特點(diǎn)。基于上述特點(diǎn)，介紹一種FRAM FM3116在復(fù)費(fèi)率電能表中的應(yīng)用設(shè)計(jì)。

世強(qiáng)電訊與Ramtron正式簽署分銷合作協(xié)議

世強(qiáng)電訊與瑞創(chuàng)國(guó)際公司（RamtronInternational Corporation）日前正式簽署了分銷合作協(xié)議，Ramtron國(guó)際公司授權(quán)世強(qiáng)在中國(guó)內(nèi)地和香港地區(qū)鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的分銷權(quán)。 Ramtron公司成立于1984年，總部設(shè)在美國(guó)

FM20L08型鐵電存儲(chǔ)器的原理及應(yīng)用

本文主要介紹了鐵電存儲(chǔ)器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲(chǔ)器不僅克服了EEPROM和Flash存儲(chǔ)器寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)少等缺點(diǎn)，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護(hù)功能，1MB的存儲(chǔ)容量足以替代靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

RAMTRON 推出2KB鐵電存儲(chǔ)器微控制器

Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。

RAMTRON 推出2KB鐵電存儲(chǔ)器微控制器

Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。

帶RTC的I2C總線鐵電存儲(chǔ)器FM31256

文章主要介紹了FM31256的基本功能、原理，并結(jié)合實(shí)例給出了其在電磁鑄軋電源控制裝置中的具體應(yīng)用方法。

基于鐵電存儲(chǔ)器的高速和高保真的汽車事故實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄儀

汽車行駛狀況的記錄對(duì)分析、鑒定道路交通事故、提高交通管理執(zhí)法水平和運(yùn)輸管理水平、保障車輛運(yùn)行安全具有重要作用。

分銷暢想源自專業(yè)精神

中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷20年的飛速發(fā)展后，作為帶給產(chǎn)業(yè)最新元器件及半導(dǎo)體技術(shù)的忠實(shí)伙伴，分銷商在促進(jìn)中國(guó)電子業(yè)中所起的作用已是舉足輕重。隨著他們?cè)诠?yīng)鏈中的價(jià)值逐步增長(zhǎng)以及行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，越來越多的本土電子元

Ramtron可替代SRAM的1兆位鐵電存儲(chǔ)器

鐵電存儲(chǔ)器FM3808在TMS320VC5402系統(tǒng)中的應(yīng)用

FM3808是Ramtrom公司生產(chǎn)的新型超低功耗非易失鐵電存儲(chǔ)器，該器件可支持對(duì)存儲(chǔ)區(qū)的高速讀寫，并可進(jìn)行近乎無限次的寫入。

鐵電存儲(chǔ)器FM3808在TMS320VC5402系統(tǒng)中的應(yīng)用

FM3808是Ramtrom公司生產(chǎn)的新型超低功耗非易失鐵電存儲(chǔ)器，該器件可支持對(duì)存儲(chǔ)區(qū)的高速讀寫，并可進(jìn)行近乎無限次的寫入。

《鐵電創(chuàng)新應(yīng)用》有獎(jiǎng)?wù)魑幕顒?dòng)評(píng)獎(jiǎng)結(jié)果公布

鐵電存儲(chǔ)器原理及應(yīng)用比較

介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序