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使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-EPAD MOSFET參數(shù)介紹
EPAD MOSFET 是一種有源器件，可在大量設(shè)計(jì)中用作基本電路元件。有許多電路可以利用它們。使用這些 EPAD MOSFET 器件的潛在設(shè)計(jì)和用途的數(shù)量?jī)H受設(shè)計(jì)人員的需求和想象力的限制。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-亞閾值電壓操作
在閾值電壓或低于閾值電壓時(shí)，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導(dǎo)通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導(dǎo)致漏極電流呈指數(shù)下降。然而，通道不會(huì)隨著柵極電壓的降低而突然關(guān)閉，而是以每十倍電流下降約 110 mV 的固定速率下降。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-增強(qiáng)型 EPAD MOSFET
ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET，當(dāng)柵極偏置電壓為 0.0V 時(shí)，它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負(fù)電壓。提供負(fù)閾值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在沒(méi)有電源電壓且 Vgs = 0.0V 的情況下，這些 EPAD MOSFET 器件已經(jīng)開啟，并且在源極和漏極端子之間表現(xiàn)出受控的導(dǎo)通電阻。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進(jìn)行電路設(shè)計(jì)-“零閾值”模式設(shè)備
尋求在電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢(shì)，這給電氣工程師帶來(lái)了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對(duì)他們施加的限制。長(zhǎng)期以來(lái)，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地?cái)U(kuò)大可用電壓范圍，否則會(huì)使新電路取得成功。
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